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场效应MOS管SSD40P04-20D参数

PD最大耗散功率:50WID最大漏源电流:-36AV(BR)DSS漏源击穿电压:-40VRDS(ON)Ω内阻:0.03ΩVRDS(ON)ld通态电流:-36AVRDS(ON)栅极电压:-10VVGS(th)V开启电压:-1~VVGS(th)ld(μA)开启电流:-250μA

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    SSD40P04-20D是一款功率MOSFET,广泛应用于各种电力电子设备和系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:SSD40P04-20D用于高效的电能转换和调节,确保设备运行的稳定性和高效能。其低导通电阻和高电流能力使其成为开关电源、DC-DC转换器等设备的理想选择。

    2. 电机控制系统:SSD40P04-20D在电机控制领域有着广泛的应用,包括步进电机、直流电机和无刷电机的驱动。其高效的开关特性和出色的热性能可以提高电机的运行效率和寿命。

    3. 光伏逆变器:在光伏发电系统中,SSD40P04-20D用于逆变器的功率转换部分,帮助将直流电转换为交流电。这款MOSFET能够处理高功率,并具有优异的热管理能力,使得光伏系统更加高效和可靠。

    4. 电池管理系统:电池管理系统需要可靠的功率器件来管理充放电过程。SSD40P04-20D因其低导通电阻和高耐压能力,适用于电池保护电路,确保电池的安全性和长寿命。

    5. 汽车电子:在汽车电子系统中,SSD40P04-20D可用于车载电源、电子控制单元(ECU)和电动汽车的驱动模块。其高耐压和大电流能力适合处理汽车系统中的苛刻环境和大功率需求。

    二、参数特点:

    1. 最大漏源电压(Vds):SSD40P04-20D的最大漏源电压为40V,这意味着它能够承受40伏的电压而不被击穿,适用于大部分中低压应用。

    2. 导通电阻(Rds(on)):其典型导通电阻非常低,仅为0.004Ω。这使得SSD40P04-20D在导通状态下的功耗极低,提高了系统的整体效率。

    3. 最大漏极电流(Id):这款MOSFET的最大漏极电流可达120A,能够处理大电流应用,适用于高功率需求的系统。

    4. 栅极电荷(Qg):SSD40P04-20D的总栅极电荷为200nC,栅极驱动损耗较低,使其能够快速开关,提高开关频率,从而减少开关损耗。

    5. 热阻(Rθjc):其结壳热阻为0.5°C/W,这意味着SSD40P04-20D具有优异的散热性能,能够在高温环境下稳定工作,减少因热量导致的性能衰减。

    综上所述,SSD40P04-20D是一款性能优越的功率MOSFET,广泛应用于电源管理、电机控制、光伏逆变器、电池管理和汽车电子等领域。其卓越的参数特点,如低导通电阻、高电流处理能力和良好的热性能,使得它在各种应用中都能提供可靠的性能和高效的功率转换。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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