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场效应MOS管SGS23N60UFD参数

PD最大耗散功率:73WID最大漏源电流:23AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:ΩVRDS(ON)ld通态电流:AVRDS(ON)栅极电压:VVGS(th)V开启电压:VVGS(th)ld(μA)开启电流:μA

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    SGS23N60UFD是一款高性能的600V N沟道功率MOSFET,广泛应用于各类需要高效电能转换的场合。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源转换器:SGS23N60UFD在电源转换器中起到关键作用,特别是在开关模式电源(SMPS)中。其高耐压和低导通电阻使其非常适合用于提升转换效率和减少功耗。

    2. 电动汽车充电器:在电动汽车的充电系统中,SGS23N60UFD用于高频逆变器和功率因数校正电路中,确保充电过程的高效和安全。

    3. 工业自动化设备:SGS23N60UFD可用于工业自动化中的伺服驱动器和变频器中,其高效的电能转换特性和可靠性有助于提高设备的整体性能。

    4. 太阳能逆变器:在太阳能发电系统中,SGS23N60UFD作为关键元件之一,可显著提高能量转换效率,减少损耗,并能承受太阳能电池板输出的高电压。

    5. 家用电器:SGS23N60UFD常见于各类家用电器中,如空调、冰箱和微波炉等,其高耐压和高效特性使得家电在使用过程中更加节能和稳定。

    二、参数特点:

    - 高耐压:SGS23N60UFD具有600V的击穿电压,能够在高电压环境中稳定工作,适合用于高压应用领域。

    - 低导通电阻:该型号的MOSFET具有较低的导通电阻(RDS(on)),在导通状态下能有效降低功率损耗,提高整体效率。例如,其典型导通电阻仅为0.23Ω,有助于减少能量浪费。

    - 快速开关速度:SGS23N60UFD拥有极快的开关速度,能够在高频应用中提供优异的性能。这一特点使其在开关模式电源和高频逆变器中尤为重要。

    - 低栅极电荷:其低栅极电荷(Qg)使得MOSFET在开关时消耗的能量更少,进一步提高了效率。例如,其典型栅极电荷仅为58nC,有助于减少驱动损耗。

    - 可靠性高:SGS23N60UFD采用先进的制造工艺和严格的质量控制,确保其在苛刻的工作环境下仍能保持高可靠性和长寿命。

    综上所述,SGS23N60UFD以其高耐压、低导通电阻、快速开关速度、低栅极电荷和高可靠性等参数特点,成为各类高效电能转换应用中的理想选择。这些独特的性能使得SGS23N60UFD能够在电源转换器、电动汽车充电器、工业自动化设备、太阳能逆变器以及家用电器等众多领域中发挥重要作用。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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