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场效应MOS管SFT1350-TL-E参数

PD最大耗散功率:1WID最大漏源电流:-19AV(BR)DSS漏源击穿电压:-40VRDS(ON)Ω内阻:0.059ΩVRDS(ON)ld通态电流:-9.5AVRDS(ON)栅极电压:-10VVGS(th)V开启电压:-1.7~-2.6VVGS(th)ld(μA)开启电流:-1000μA

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    SFT1350-TL-E是一款场效应MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET),广泛应用于各种电子电路中。以下是关于SFT1350-TL-E的应用场景和参数特点的详细介绍。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:SFT1350-TL-E经常用于开关电源中,因其能够在高频率下快速开关,提高电源转换效率,降低能耗和发热。这种特性使其在计算机、通信设备和工业控制系统中得到广泛应用。

    2. 电机驱动:在电机驱动电路中,SFT1350-TL-E能够提供高效的电流控制和调节。这使得它在电动车、电动工具和家用电器等需要精准电流控制的设备中非常重要。

    3. 太阳能逆变器:SFT1350-TL-E也用于太阳能逆变器中,通过高效的电能转换来提高太阳能系统的整体效率。这种应用有助于降低能源成本,提高可再生能源的利用率。

    4. 音频放大器:在音频放大器中,SFT1350-TL-E能够提供稳定的电流放大效果,确保高保真音频输出。这使其在高端音响设备和专业音频设备中占有一席之地。

    5. 智能家居设备:随着智能家居的普及,SFT1350-TL-E在各种智能设备中的应用也越来越广泛,如智能灯具、智能插座和家庭安防系统等,通过其高效的电流控制功能,提升设备的智能化水平和能效。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):SFT1350-TL-E具有极低的导通电阻,这意味着在导通状态下电流通过时产生的损耗非常低,有助于提高整体电路的效率和减少发热。

    - 高击穿电压(VDS):SFT1350-TL-E的击穿电压较高,能够承受更高的电压应力,使其在高压应用中表现出色,如电源管理和工业控制等领域。

    - 高开关速度:SFT1350-TL-E具备快速开关能力,这对于需要快速响应的电路非常关键,如开关电源和逆变器电路,能够显著提高系统的响应速度和效率。

    - 低栅极电荷(Qg):低栅极电荷使得SFT1350-TL-E在开关过程中所需的驱动功率较低,有助于降低驱动电路的复杂性和能耗,提高整体系统的可靠性和效率。

    - 优异的热性能:SFT1350-TL-E具有良好的热性能,能够在高温环境下稳定工作,这对于工业应用和高功率设备尤为重要,确保了在严苛工作条件下的稳定性和可靠性。

    通过以上分析可以看出,SFT1350-TL-E凭借其优异的电气性能和广泛的应用场景,成为众多高效电路设计中的重要元件。不论是在高效能的开关电源中,还是在智能化的家居设备中,SFT1350-TL-E都能发挥其关键作用,提升设备的性能和可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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