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场效应MOS管SFT1345-TL-E参数

PD最大耗散功率:1WID最大漏源电流:-11AV(BR)DSS漏源击穿电压:-100VRDS(ON)Ω内阻:0.275ΩVRDS(ON)ld通态电流:-5.5AVRDS(ON)栅极电压:-10VVGS(th)V开启电压:-1.2~-2.6VVGS(th)ld(μA)开启电流:-1000μA

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    SFT1345-TL-E是一款常用的场效应MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET),其在电子电路中的应用场景和参数特点广泛且多样。以下详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电路:SFT1345-TL-E常用于开关电路中,作为开关元件实现电流的通断控制。其高速开关特性使其在各种数字电路、逻辑电路和功率管理电路中得到广泛应用。

    2. 功率管理:在电源管理系统中,SFT1345-TL-E可以用于电源转换器、稳压器和功率放大器中,提升电源效率,降低能耗。这种应用在便携式电子设备、计算机电源和汽车电子系统中尤为重要。

    3. 电动机控制:SFT1345-TL-E也常用于电动机控制电路中,用于调节电机的速度和方向。其高效的功率处理能力和低导通电阻使其在工业自动化和家用电器中广泛应用。

    4. 保护电路:在过电流保护和过压保护电路中,SFT1345-TL-E可以快速响应异常电流或电压,保护关键电子元件,防止电路损坏。

    5. 信号放大:作为信号放大器,SFT1345-TL-E可以用于音频放大器和射频放大器中,其高输入阻抗和低噪声特性使其能够提供高质量的信号放大。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):SFT1345-TL-E具有极低的导通电阻,这使得它在导通状态下能够高效地传输电流,减少能量损耗,提高电路效率。

    - 高耐压能力:SFT1345-TL-E具有较高的漏源击穿电压(VDS),能够承受较高的电压,这使得它在高压应用中具有优势,如开关电源和电机驱动电路。

    - 快速开关速度:SFT1345-TL-E的栅极电荷(Qg)较低,使其能够在极短时间内完成开关动作,适用于高速开关电路和高频应用场景。

    - 低栅极驱动电压:SFT1345-TL-E通常需要较低的栅极驱动电压即可实现完全导通,方便与低电压逻辑电路兼容,降低驱动电路的复杂性。

    - 高输入阻抗:由于场效应管的工作原理,SFT1345-TL-E具有非常高的输入阻抗,这减少了对前级电路的负载影响,特别适用于信号放大和高阻抗驱动场合。

    通过上述详细描述,可以看出SFT1345-TL-E在各种电子电路中的应用场景广泛,其参数特点使其在实际应用中具有很高的性能和可靠性。这些特性使得SFT1345-TL-E在现代电子设计中占有重要地位,广泛应用于消费电子、工业控制和通信设备等领域。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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