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场效应MOS管RFD3055LESM参数

PD最大耗散功率:38WID最大漏源电流:11AV(BR)DSS漏源击穿电压:60VRDS(ON)Ω内阻:0.107ΩVRDS(ON)ld通态电流:8AVRDS(ON)栅极电压:5VVGS(th)V开启电压:1~3VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    RFD3055LESM是一款常见的功率场效应晶体管(MOSFET),在电子领域有着广泛的应用。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:RFD3055LESM在电源管理系统中用于开关电源和直流-直流变换器,有效控制和调节电流,提高能效和稳定性。

    2. 电机驱动器:在电机控制电路中,RFD3055LESM能快速开关,调节电机速度和转向,减少能量损耗,提升系统响应速度和效率。

    3. 汽车电子系统:RFD3055LESM用于汽车电子系统中的电源管理、电动机驱动和控制电路,确保系统稳定和可靠性。

    4. 工业自动化:在自动化机械和工业控制系统中,RFD3055LESM能有效保护设备免受电源干扰和电涌的影响。

    5. 消费电子:RFD3055LESM在各类消费电子产品中的电源管理和控制电路中发挥重要作用,提升设备性能和稳定性。

    二、参数特点:

    1. 低导通电阻:RFD3055LESM具有较低的导通电阻,能在低电压下有效传导电流。

    2. 高电流承载能力:该型号能承载高电流,适合需求高功率输出的应用场景。

    3. 高耐压特性:RFD3055LESM能在较高电压下工作稳定,保证系统安全运行。

    4. 快速开关速度:具有快速的开关速度和响应时间,适合高频率开关和精确控制的需求。

    5. 稳定性和可靠性:RFD3055LESM在各种工作环境下都能提供稳定可靠的性能,长期运行稳定。

    综上所述,RFD3055LESM作为一款性能优越的功率MOSFET,在电源管理、电机控制、汽车电子和工业自动化等多个领域都有着重要的应用。其低导通电阻、高电流承载能力和稳定的耐压特性,使其成为现代电子设计中不可或缺的关键组成部分,能够有效提升系统效率和稳定性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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