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场效应MOS管NTD6416ANLT4G参数

PD最大耗散功率:71WID最大漏源电流:19AV(BR)DSS漏源击穿电压:100VRDS(ON)Ω内阻:0.08ΩVRDS(ON)ld通态电流:10AVRDS(ON)栅极电压:4.5VVGS(th)V开启电压:1~2.2VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    NTD6416ANLT4G是一款常用的MOSFET器件,其广泛应用于各种电子电路中。本文将详细介绍NTD6416ANLT4G的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:在计算机和通信设备中,NTD6416ANLT4G常用于电源管理电路,尤其是在DC-DC转换器中,起到控制电流和电压的作用。

    2. 电机驱动:该MOSFET还适用于电机驱动电路中,尤其是在需要高效能量转换的场合,如无人机、电动工具和机器人。NTD6416ANLT4G可以有效地控制电机的启停和转速。

    3. 开关电路:在电子开关电路中,NTD6416ANLT4G由于其快速开关速度和低导通电阻,常被用作高频开关元件。它可以在很短的时间内实现电路的开启和关闭,从而提高系统的效率。

    4. 音频放大器:在音频放大电路中,NTD6416ANLT4G可以用作输出级放大器,提供高功率放大,同时保持低失真度,使音频信号更加纯净。

    5. 保护电路:在许多电子设备中,NTD6416ANLT4G被用作保护电路的一部分,防止过流和短路等情况的发生,确保设备的安全运行。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):NTD6416ANLT4G具有非常低的导通电阻,仅为0.0036欧姆。这使得它在导通状态下的功率损耗极低,从而提高了整体电路的效率。

    - 高电流处理能力:该器件能够处理高达45安培的连续漏极电流,适用于需要大电流传输的应用场合,如电源管理和电机驱动。

    - 高压能力:NTD6416ANLT4G的漏源电压最大可达30伏,这使得它能够在较高电压下稳定工作,适应多种电源电压环境。

    - 快速开关速度:得益于其低电荷量(Qg),NTD6416ANLT4G具有非常快的开关速度,开关时间在纳秒级别。这使得它在高频应用中表现出色,如开关电源和射频电路。

    - 热性能:NTD6416ANLT4G具有良好的热性能,结到环境的热阻为62.5°C/W。这意味着在高功率应用中,它能够有效散热,确保稳定运行。

    通过以上介绍可以看出,NTD6416ANLT4G在电源管理、电机驱动、开关电路、音频放大和保护电路等多种应用场景中都有着广泛的应用。其低导通电阻、高电流处理能力、高压能力、快速开关速度和良好的热性能,使得它在各种电子电路中表现优异。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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