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场效应MOS管NTD6415ANLT4G参数

PD最大耗散功率:83WID最大漏源电流:23AV(BR)DSS漏源击穿电压:100VRDS(ON)Ω内阻:0.056ΩVRDS(ON)ld通态电流:10AVRDS(ON)栅极电压:4.5VVGS(th)V开启电压:1~2VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    NTD6415ANLT4G 是一种常见的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),它被广泛应用于多个电子和电力管理领域。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理: NTD6415ANLT4G 常用于开关电源(SMPS)、直流-直流转换器(DC-DC Converter)和电池管理系统中。这些应用中,MOSFET的高效开关特性和低导通电阻能够有效减少功率损耗,提高系统效率。

    2. 电机驱动: 在电机驱动应用中,NTD6415ANLT4G 被用作开关元件,控制电机的启动、停止和速度调节。其快速开关能力和耐高压特性使其在需要精确控制的电机驱动系统中表现出色。

    3. 汽车电子: NTD6415ANLT4G 也广泛应用于汽车电子系统中,如车载充电器、电子控制单元(ECU)和电动助力转向系统等。这些应用需要MOSFET具备高可靠性和耐高温特性,NTD6415ANLT4G 恰好能够满足这些要求。

    4. 工业自动化: 在工业自动化设备中,NTD6415ANLT4G 用于控制和驱动各种执行机构和传感器,其高效能和耐用性使其在恶劣的工业环境中依然可靠工作。

    5. 消费电子: NTD6415ANLT4G 在消费电子产品中,如智能手机、平板电脑和笔记本电脑的电源管理电路中得到应用,确保设备的高效运行和电池寿命的延长。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)): NTD6415ANLT4G 的导通电阻非常低,通常在几毫欧级别。这意味着在导通状态下,器件的功耗很低,有助于提高整体系统的效率和减少热量产生。

    - 高电流承载能力: NTD6415ANLT4G 能够承载高达数十安培的电流,这使其非常适合高功率应用,如电源管理和电机驱动系统。

    - 高击穿电压: 该器件的击穿电压通常在30V以上,这确保了 NTD6415ANLT4G 在高压环境下的可靠工作,避免因电压尖峰导致的损坏。

    - 快速开关速度: NTD6415ANLT4G 具有非常快的开关速度,能够在纳秒级别内完成开关。这一特性在高频开关电源和快速响应控制系统中尤为重要。

    - 高温工作能力: NTD6415ANLT4G 设计上能够在高温环境中稳定工作,其最大结温通常可以达到150摄氏度以上,这对于需要在严苛环境中运行的设备尤为重要。

    综上所述,NTD6415ANLT4G 以其优越的参数和广泛的应用场景,在多个领域中发挥着重要作用,特别是在电源管理、汽车电子、工业自动化和消费电子等方面,提供了高效、可靠的解决方案。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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