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场效应MOS管NTD5865NT4G参数

PD最大耗散功率:71WID最大漏源电流:43AV(BR)DSS漏源击穿电压:60VRDS(ON)Ω内阻:0.018ΩVRDS(ON)ld通态电流:20AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    NTD5865NT4G是一款性能优异的N沟道MOSFET,广泛应用于各种电子设备和电力系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:NTD5865NT4G可以作为开关元件,因其低导通电阻和高电流处理能力,能够有效提高电源转换效率,减少能量损耗。

    2. 电动工具:NTD5865NT4G凭借其高效的电流处理能力和出色的散热性能,适用于电动工具中的电机驱动电路,确保电动工具在高负载条件下稳定运行。

    3. 电动汽车:在电动汽车领域,NTD5865NT4G可以用于电池管理系统和电动驱动系统,提供可靠的功率控制和能量转换,提升车辆的整体性能和续航能力。

    4. 太阳能逆变器:NTD5865NT4G在太阳能逆变器中,可以用作功率开关器件,帮助将太阳能电池板产生的直流电高效转换为交流电,为家庭或工业设备提供稳定的电力输出。

    5. 通信设备:在通信基站和路由器等设备中,NTD5865NT4G用于功率放大器和电源管理模块,确保设备在高频率和高负载下稳定运行,提供可靠的通信服务。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:NTD5865NT4G的导通电阻(R_DS(on))极低,通常在25毫欧姆(mΩ)左右。这意味着在同样的电流条件下,它能够减少能量损耗,提高整体效率。

    - 高电流处理能力:NTD5865NT4G能够处理高达60安培(A)的电流,这使得它非常适合需要大电流传输的应用,如电动工具和电动汽车。

    - 高击穿电压:NTD5865NT4G的击穿电压(V_DS)为60伏(V),确保其在高电压环境下仍能稳定工作,适用于开关电源和太阳能逆变器等需要高电压处理的场景。

    - 快速开关速度:NTD5865NT4G具有极快的开关速度,开关时间通常在纳秒级别(ns),这有助于提高电路的整体响应速度和效率,尤其在高频率应用中表现尤为突出。

    - 出色的热性能:NTD5865NT4G采用先进的封装技术,具有优异的散热性能,热阻低至0.9°C/W。这使得它能够在高功率、高温环境中长时间稳定运行,减少过热风险。

    通过以上的详细描述,可以看出,NTD5865NT4G是一款非常出色的N沟道MOSFET,凭借其低导通电阻、高电流处理能力、高击穿电压、快速开关速度和出色的热性能,广泛应用于开关电源、电动工具、电动汽车、太阳能逆变器和通信设备等领域。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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