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场效应MOS管NTD5806NT4G参数

PD最大耗散功率:40WID最大漏源电流:33AV(BR)DSS漏源击穿电压:40VRDS(ON)Ω内阻:0.019ΩVRDS(ON)ld通态电流:15AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1.4~2.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    NTD5806NT4G是一款常用于各种电子电路中的场效应晶体管(MOSFET),其在多种应用场景中表现出色。以下将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:NTD5806NT4G在电源管理系统中扮演着重要角色,常用于DC-DC转换器和负载开关。其低导通电阻和高开关速度使其成为高效电源管理方案中的理想选择。

    2. 电动工具:在电动工具中,NTD5806NT4G的高电流处理能力和坚固耐用的特性使其能够有效地控制电机的启动和停止,提高工具的性能和寿命。

    3. 汽车电子:NTD5806NT4G也广泛应用于汽车电子中,特别是在电动窗、电动座椅和其他电动附件的控制电路中,其高可靠性和耐用性确保了车辆电器系统的稳定运行。

    4. 家用电器:在家用电器如洗衣机、空调和冰箱中,NTD5806NT4G用于电机驱动和电源控制,提供稳定和高效的电力管理解决方案。

    5. 工业控制系统:在工业控制系统中,NTD5806NT4G因其高效的开关特性和低能耗,被用于各种驱动和控制电路,如PLC(可编程逻辑控制器)和伺服驱动器。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:NTD5806NT4G具有极低的导通电阻(RDS(on)),这使得其在导通状态下的能量损耗非常低,从而提高了整体电路的效率。具体参数显示,其RDS(on)通常在4.0毫欧左右。

    - 高电流处理能力:NTD5806NT4G能够处理高达80安培的连续漏极电流(ID),适用于需要高电流的应用场景,如大功率电源和电动工具。

    - 快速开关速度:NTD5806NT4G的开关速度非常快,这使其在高频应用中表现优异。其典型的开关时间在纳秒级别,能够有效降低开关损耗。

    - 耐高压特性:NTD5806NT4G的漏极-源极击穿电压(VDS)高达30伏,使其能够在较高电压条件下稳定工作,适用于需要高电压操作的应用场景。

    - 低栅极电荷:NTD5806NT4G的总栅极电荷(Qg)较低,通常在55纳库伦左右。这意味着驱动其所需的能量较少,有助于提高驱动电路的效率和性能。

    综上所述,NTD5806NT4G是一款性能优异且应用广泛的MOSFET,其低导通电阻、高电流处理能力、快速开关速度、耐高压特性和低栅极电荷等特点使其在电源管理系统、电动工具、汽车电子、家用电器和工业控制系统中得到了广泛应用。无论是高效能量管理还是稳定的电机控制,NTD5806NT4G都能提供可靠的解决方案。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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