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场效应MOS管NTD5407NT4G参数

PD最大耗散功率:75WID最大漏源电流:38AV(BR)DSS漏源击穿电压:40VRDS(ON)Ω内阻:0.026ΩVRDS(ON)ld通态电流:20AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1.5~3.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    NTD5407NT4G是一款性能优越的N沟道MOSFET,广泛应用于各类电子设备中。下面将详细介绍NTD5407NT4G的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:在现代电子设备中,电源管理系统至关重要。NTD5407NT4G因其高效率、低导通电阻等优点,常被用于开关电源、DC-DC转换器和负载开关中。这些设备需要高效稳定的电流控制,NTD5407NT4G可以提供出色的性能。

    2. 电机驱动:在电机控制和驱动领域,NTD5407NT4G也有广泛应用。它适用于各类小型到中型电机的驱动电路,尤其是那些需要精确控制的场合,如机器人、无人机和工业自动化设备。其快速开关特性和高电流处理能力,确保了电机运行的稳定性和效率。

    3. 消费电子:智能手机、平板电脑、笔记本电脑等消费电子产品中,也常使用NTD5407NT4G。这些设备对体积和功耗有严格要求,而NTD5407NT4G的小封装和低功耗特性使其成为理想选择。

    4. 汽车电子:在汽车电子系统中,如电动座椅、车载充电器、照明系统等,NTD5407NT4G因其耐高压、高可靠性和出色的温度特性,能够在严苛的汽车环境中提供稳定的性能。

    5. 工业控制:工业自动化和控制系统需要高效可靠的电子元件。NTD5407NT4G在PLC、HMI和各种传感器接口中,提供了优异的性能,确保工业设备的高效运转。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:NTD5407NT4G具有极低的导通电阻(RDS(on)),通常在10毫欧以下。这意味着在相同的电流下,它能减少能量损耗,提高整体系统的效率。

    - 高电流处理能力:NTD5407NT4G能够处理高达62安培的连续漏极电流(ID),并且具有较强的脉冲电流处理能力(IDM可达248安培)。这使得它在大电流应用中表现出色。

    - 高击穿电压:NTD5407NT4G的击穿电压(VDS)为60伏,使其能够在较高电压环境下稳定工作,适用于各种需要高耐压特性的场合。

    - 快速开关速度:NTD5407NT4G具有极快的开关速度,其开关时间(ton 和 toff)通常在纳秒级别。这一特性使其在高频率开关电路中表现出色,减少了开关损耗。

    - 热性能优异:NTD5407NT4G的结-壳热阻(RθJC)为1.0℃/W,能够有效地散热,保持器件在高电流、高功率条件下的稳定性,延长其使用寿命。

    综上所述,NTD5407NT4G因其优越的性能特点和广泛的应用场景,成为了许多电子工程师的首选。无论是在消费电子、电源管理还是工业控制领域,NTD5407NT4G都展示了其卓越的价值和不可替代性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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