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场效应MOS管NTD4863NT4G参数

PD最大耗散功率:1.95WID最大漏源电流:11.3AV(BR)DSS漏源击穿电压:25VRDS(ON)Ω内阻:0.0093ΩVRDS(ON)ld通态电流:30AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1.45~2.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    NTD4863NT4G是ON Semiconductor(安森美半导体)推出的一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备中。以下是NTD4863NT4G的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:NTD4863NT4G常用于电源管理系统中,尤其是在DC-DC转换器、AC-DC适配器以及电池管理系统中。其低导通电阻和高效的开关性能使其成为这些应用中的理想选择,有助于提高电源转换效率和减少能量损耗。

    2. 电机驱动:在电动工具、电动汽车和其他电机驱动系统中,NTD4863NT4G的高电流处理能力和耐高压性能能够满足这些应用中对功率元件的严格要求,确保电机稳定运行并提供所需的驱动能力。

    3. 照明系统:NTD4863NT4G还广泛应用于LED照明系统中。其高效能和可靠性使其能够在高功率LED驱动电路中发挥重要作用,帮助实现节能和长寿命的照明解决方案。

    4. 工业控制:在工业控制系统中,NTD4863NT4G用于各种高功率开关和控制电路,如PLC控制器、变频器和工业自动化设备。其优良的电气性能保证了在高负载环境下的稳定工作。

    5. 消费电子产品:智能手机、笔记本电脑、平板电脑等消费电子产品中,NTD4863NT4G被用作电源开关和电源管理模块,提供高效的电源控制和管理,延长设备的电池寿命。

    二、参数特点:

    - 导通电阻(RDS(on))低:NTD4863NT4G的典型导通电阻为0.0032欧姆,在低导通电阻的特性下,能够大幅减少导通损耗,提升系统整体效率。这在需要高效电力传输的应用中尤为重要。

    - 高电流处理能力:NTD4863NT4G能够处理高达100A的连续电流,这使得它在需要高电流传输的应用中表现出色,如电机驱动和电源管理系统。

    - 耐高压:NTD4863NT4G的最大漏源电压(VDS)为40V,能够在各种高压环境中稳定运行,适用于电源转换器和其他需要高耐压元件的应用场景。

    - 高开关速度:NTD4863NT4G具有快速的开关速度,能够有效减少开关损耗,提高系统的整体效率。这使其在高频开关电源和快速响应电路中具有明显的优势。

    - 封装形式:NTD4863NT4G采用DPAK封装,具有良好的散热性能和机械强度,适合在高密度安装和高温环境中使用。其紧凑的封装设计也有助于减少电路板空间,提高系统的集成度。

    综上所述,NTD4863NT4G在以上应用场景中的出色表现,得益于其优异的电气参数和可靠的性能。无论是在高效电源管理、电机驱动、LED照明,还是在工业控制和消费电子产品中,NTD4863NT4G都能提供稳定、高效的解决方案,满足各种严苛的应用需求。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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