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场效应MOS管NTD4810NT4G参数

PD最大耗散功率:2.62WID最大漏源电流:12.4AV(BR)DSS漏源击穿电压:30VRDS(ON)Ω内阻:0.01ΩVRDS(ON)ld通态电流:30AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1.5~2.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    NTD4810NT4G是一种N沟道功率MOSFET,广泛应用于多种电子设备中。本文将详细介绍NTD4810NT4G的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:NTD4810NT4G常用于电源管理系统中,尤其是在DC-DC转换器和AC-DC电源供应器中。它能够有效地调节电压和电流,从而提供稳定的电源输出。

    2. 电机控制:在电机控制系统中,NTD4810NT4G用于控制电机的启动、停止和速度调节。其高效的开关特性使其能够快速响应控制信号,确保电机运行的精确性和稳定性。

    3. 电池管理系统:在便携式设备和电动汽车的电池管理系统中,NTD4810NT4G用于电池充放电的控制。它的高电流承载能力和低导通电阻使其在高效电池管理中发挥重要作用。

    4. 照明系统:NTD4810NT4G也常用于LED驱动电路中。其高效率和低热损耗特性使其能够在高亮度和长寿命的LED照明应用中提供可靠的性能。

    5. 计算和通讯设备:在计算机和通讯设备中,NTD4810NT4G用于主板和其他关键电路的电源管理。其快速开关速度和高效能保证了设备的可靠运行。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):NTD4810NT4G的导通电阻极低,通常为5毫欧姆左右。这意味着在导通状态下,电流通过MOSFET时产生的压降和功率损耗非常小,有助于提高电路的整体效率。

    - 高电流承载能力:NTD4810NT4G能够承载高达50安培的连续漏极电流(ID),这使其适用于大电流应用场景,如电机驱动和电源管理。

    - 耐高压:NTD4810NT4G的漏源极耐压(VDSS)为100伏特。这使其在高压环境中也能稳定工作,适合用于高压电源和工业控制应用。

    - 快速开关速度:NTD4810NT4G的开关速度非常快,具备低的栅极电荷(Qg)特性,通常为25纳库伦左右。这使其能够在高频率开关应用中有效降低开关损耗和提高效率。

    - 热管理性能:NTD4810NT4G采用先进的封装技术,具有良好的热导性能,能够有效散热,降低工作温度,从而提高器件的可靠性和寿命。

    综上所述,NTD4810NT4G作为一种高性能的N沟道功率MOSFET,凭借其低导通电阻、高电流承载能力、耐高压、快速开关速度和优良的热管理性能,在电源管理、电机控制、电池管理、照明系统以及计算和通讯设备等多个领域中得到了广泛应用。NTD4810NT4G的这些特点使其成为设计高效、可靠电子电路的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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