PD最大耗散功率:75WID最大漏源电流:-25AV(BR)DSS漏源击穿电压:-30VRDS(ON)Ω内阻:0.072ΩVRDS(ON)ld通态电流:-12.5AVRDS(ON)栅极电压:-5VVGS(th)V开启电压:-1~-2VVGS(th)ld(μA)开启电流:-250μA
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一、应用场景:
1. 电源管理系统:NTD25P03LT4G常用于各种电源管理电路中,如开关电源、DC-DC转换器等。其高效的开关特性和低导通电阻使其成为电源设计中的理想选择。
2. 汽车电子:在汽车电子系统中,NTD25P03LT4G用于控制和调节电流,如在电动窗、座椅调节器和电动转向系统中。其高可靠性和耐高温性能使其适用于严苛的汽车环境。
3. 消费电子产品:NTD25P03LT4G被广泛应用于各种消费电子设备中,如笔记本电脑、智能手机和平板电脑等。它在这些设备中通常用于电池管理和电源分配电路中,确保设备的高效运行和长续航时间。
4. 工业控制:在工业自动化和控制系统中,NTD25P03LT4G用于电机控制、电源转换和其他高功率应用。其高电流处理能力和低损耗特性使其在工业应用中表现出色。
5. 通信设备:NTD25P03LT4G也被应用于通信设备中,如路由器、基站和服务器电源管理系统中,确保设备的稳定性和高效能。
二、参数特点:
- 低导通电阻:NTD25P03LT4G的最大导通电阻仅为25毫欧姆(mΩ),这意味着在开关过程中损耗的功率较低,有助于提高整体电路的效率。
- 高电流处理能力:NTD25P03LT4G能够处理高达25安培(A)的连续漏极电流(ID),适用于需要高电流处理的应用场景,如电机驱动和电源转换。
- 高耐压能力:其漏源极电压(VDS)为30伏特(V),这使得NTD25P03LT4G能够在较高电压下稳定工作,适应各种高压环境。
- 快速开关速度:NTD25P03LT4G具有快速的开关特性,其典型的栅极电荷(Qg)为36纳库仑(nC),确保在高速开关应用中的优异表现。
- 封装形式:NTD25P03LT4G采用DPAK封装,这种封装形式不仅提高了散热性能,还使得器件在PCB上的安装更加方便,适用于高密度电路设计。
综上所述,NTD25P03LT4G是一款性能优异的N沟道功率MOSFET,广泛应用于电源管理、汽车电子、消费电子、工业控制和通信设备等领域。其低导通电阻、高电流处理能力、高耐压和快速开关速度等特点,使其成为各类电子设备和系统中的理想选择。
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