收藏壹芯微 | 在线留言| 网站地图

您好!欢迎光临壹芯微科技品牌官网

壹芯微

深圳市壹芯微科技有限公司二极管·三极管·MOS管·桥堆

全国服务热线:13534146615

壹芯微二极管
首页 » 壹芯微产品中心 » 三极管 » 场效应管 » 场效应MOS管NTD25P03LT4G参数

场效应MOS管NTD25P03LT4G参数

PD最大耗散功率:75WID最大漏源电流:-25AV(BR)DSS漏源击穿电压:-30VRDS(ON)Ω内阻:0.072ΩVRDS(ON)ld通态电流:-12.5AVRDS(ON)栅极电压:-5VVGS(th)V开启电压:-1~-2VVGS(th)ld(μA)开启电流:-250μA

立即咨询


    NTD25P03LT4G是一款由ON Semiconductor公司生产的N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备和电路设计中。本文将详细介绍NTD25P03LT4G的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:NTD25P03LT4G常用于各种电源管理电路中,如开关电源、DC-DC转换器等。其高效的开关特性和低导通电阻使其成为电源设计中的理想选择。

    2. 汽车电子:在汽车电子系统中,NTD25P03LT4G用于控制和调节电流,如在电动窗、座椅调节器和电动转向系统中。其高可靠性和耐高温性能使其适用于严苛的汽车环境。

    3. 消费电子产品:NTD25P03LT4G被广泛应用于各种消费电子设备中,如笔记本电脑、智能手机和平板电脑等。它在这些设备中通常用于电池管理和电源分配电路中,确保设备的高效运行和长续航时间。

    4. 工业控制:在工业自动化和控制系统中,NTD25P03LT4G用于电机控制、电源转换和其他高功率应用。其高电流处理能力和低损耗特性使其在工业应用中表现出色。

    5. 通信设备:NTD25P03LT4G也被应用于通信设备中,如路由器、基站和服务器电源管理系统中,确保设备的稳定性和高效能。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:NTD25P03LT4G的最大导通电阻仅为25毫欧姆(mΩ),这意味着在开关过程中损耗的功率较低,有助于提高整体电路的效率。

    - 高电流处理能力:NTD25P03LT4G能够处理高达25安培(A)的连续漏极电流(ID),适用于需要高电流处理的应用场景,如电机驱动和电源转换。

    - 高耐压能力:其漏源极电压(VDS)为30伏特(V),这使得NTD25P03LT4G能够在较高电压下稳定工作,适应各种高压环境。

    - 快速开关速度:NTD25P03LT4G具有快速的开关特性,其典型的栅极电荷(Qg)为36纳库仑(nC),确保在高速开关应用中的优异表现。

    - 封装形式:NTD25P03LT4G采用DPAK封装,这种封装形式不仅提高了散热性能,还使得器件在PCB上的安装更加方便,适用于高密度电路设计。

    综上所述,NTD25P03LT4G是一款性能优异的N沟道功率MOSFET,广泛应用于电源管理、汽车电子、消费电子、工业控制和通信设备等领域。其低导通电阻、高电流处理能力、高耐压和快速开关速度等特点,使其成为各类电子设备和系统中的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

    扫一扫!

    深圳市壹芯微科技有限公司 版权所有 | 备案号:粤ICP备2020121154号