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场效应MOS管NTD20P06LT4G参数

PD最大耗散功率:65WID最大漏源电流:-15.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:-60VRDS(ON)Ω内阻:0.15ΩVRDS(ON)ld通态电流:-7.5AVRDS(ON)栅极电压:-5VVGS(th)V开启电压:-1~-2VVGS(th)ld(μA)开启电流:-250μA

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    NTD20P06LT4G是一款功率场效应晶体管,广泛用于各种电子设备和电路中。

    一、应用场景:

    1. 通信设备:在通信设备中,NTD20P06LT4G可以用作功率开关,保护电路免受电压尖峰的损害。例如,在基站设备、网络路由器等设备中,它可以确保设备的稳定工作。

    2. 电源管理:在开关电源和电池管理电路中,NTD20P06LT4G可以实现电源的开关控制和电池的充放电管理,提高电路的效率和稳定性。

    3. 电机驱动:NTD20P06LT4G可以用于电机驱动电路中,控制电机的启停和转速。在电动汽车、机器人等领域,它能够提供可靠的电机控制。

    4. LED照明:在LED照明系统中,NTD20P06LT4G可以作为电流调节器或开关,控制LED灯的亮度和开关状态,提高照明系统的能效。

    5. 工业自动化:在工业自动化设备中,NTD20P06LT4G可以用于控制电路的通断,实现自动化生产线的稳定运行。

    二、参数特点:

    1. 低导通电阻: NTD20P06LT4G具有较低的导通电阻,能够实现较小的功率损耗,提高电路的效率。

    2. 高耐压能力:这款晶体管具有较高的耐压能力,能够承受较高的电压,保证电路的稳定工作。

    3. 快速开关速度:NTD20P06LT4G具有快速的开关速度,能够迅速响应控制信号,实现电路的快速开关和响应。

    4. 热稳定性:其设计考虑了热稳定性,能够在高温环境下工作,不易受到温度影响而导致性能下降。

    5. 封装形式:NTD20P06LT4G采用了TO-252-3封装,便于在电路板上安装和焊接,适用于各种电子设备的生产和应用。

    综上所述,NTD20P06LT4G作为一款性能稳定、耐压能力强、响应速度快的功率场效应晶体管,在各种电子设备和电路中都具有重要的应用前景。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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