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场效应MOS管NDD60N745U1T4G参数

PD最大耗散功率:84WID最大漏源电流:6.6AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:0.745ΩVRDS(ON)ld通态电流:3.25AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    NDD60N745U1T4G是一种先进的功率MOSFET,广泛应用于各种电源管理和转换系统中。本文将详细介绍NDD60N745U1T4G的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:NDD60N745U1T4G在电源管理系统中发挥关键作用,特别是在DC-DC转换器和AC-DC适配器中。它的高效能和低导通电阻使其在提高系统效率和减少热损耗方面表现出色。

    2. 工业控制:在工业自动化和控制系统中,NDD60N745U1T4G用于驱动电机和其他高功率设备。它的高耐压特性确保了设备在高负载条件下的稳定运行。

    3. 电动汽车充电器:随着电动汽车的普及,NDD60N745U1T4G被广泛应用于充电桩和车载充电器中。它的高开关速度和低导通电阻帮助提升充电效率,缩短充电时间。

    4. 消费电子产品:在笔记本电脑、电源适配器和其他便携式电子设备中,NDD60N745U1T4G被用来管理电源分配和热管理,从而延长电池寿命和设备使用寿命。

    5. 太阳能逆变器:NDD60N745U1T4G在太阳能逆变器中也有应用,其高效能和耐高温特性使其能够在苛刻的环境条件下稳定工作,提升太阳能系统的整体效率。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:NDD60N745U1T4G具有极低的导通电阻(R_DS(on)),这一特点使其在高电流条件下能减少功耗,提高系统效率。

    - 高耐压能力:NDD60N745U1T4G的耐压值高达60V,这使得它在高电压应用中表现优异,能够有效防止电压瞬变对系统的损害。

    - 高速开关性能:NDD60N745U1T4G具备极快的开关速度,开关时间仅为纳秒级别,这在需要快速响应的应用场景中尤为重要,能够显著减少开关损耗。

    - 高可靠性和稳定性:NDD60N745U1T4G经过严格的质量测试,具有优良的热稳定性和电气稳定性,确保在长期工作中的高可靠性和低故障率。

    - 热管理性能:NDD60N745U1T4G采用先进的封装技术,能够有效散热,降低器件在高功率条件下的工作温度,从而提高整体系统的热管理能力。

    综上所述,NDD60N745U1T4G以其出色的性能特点和广泛的应用场景,成为电源管理和转换系统中的理想选择。不论是在消费电子、工业控制还是新能源领域,NDD60N745U1T4G都展现出其不可或缺的重要作用。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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