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场效应MOS管NDD05N50ZT4G参数

PD最大耗散功率:83WID最大漏源电流:4.7AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:1.5ΩVRDS(ON)ld通态电流:22AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~4.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:50μA

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    NDD05N50ZT4G是一款常用于各种电子应用场景的功率MOSFET,具有优异的性能和广泛的应用前景。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):NDD05N50ZT4G在开关电源中广泛应用,特别是在高效能和高频率的电源转换器中。其低导通电阻和快速开关速度能够有效减少开关损耗,提高电源的整体效率。

    2. 电机驱动:在电机控制和驱动应用中,NDD05N50ZT4G能够提供高效的电流控制和低损耗的电能传输。其高耐压和大电流处理能力使其在工业电机和家用电器的电机控制中表现优异。

    3. 太阳能逆变器:NDD05N50ZT4G在太阳能逆变器中被广泛应用。它能有效地处理从太阳能板接收到的直流电转换成交流电的过程,提高逆变器的转换效率和稳定性。

    4. UPS(不间断电源):在UPS系统中,NDD05N50ZT4G发挥着至关重要的作用。其高效的电流处理能力和低损耗特性确保了不间断电源的可靠性和长时间运行的稳定性。

    5. 汽车电子:随着汽车电子化程度的提高,NDD05N50ZT4G在车载电子系统中得到广泛应用,如电动汽车的电池管理系统和车载充电器,提供可靠的电能管理解决方案。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:NDD05N50ZT4G具有非常低的导通电阻(R_DS(on)),这意味着在导通状态下,电流通过MOSFET时产生的损耗很小。这种特性非常适合高效能电源和高电流应用场景。

    - 高耐压:该型号具有高达500V的漏极-源极电压(V_DS)耐受能力,使其在高电压应用中表现出色。无论是在工业设备还是在高压电源转换中,NDD05N50ZT4G都能提供可靠的性能。

    - 快速开关速度:NDD05N50ZT4G的快速开关速度使其在高频应用中具有显著的优势。快速的开关能力不仅提高了电路的效率,还减少了开关损耗和热量的产生。

    - 高电流处理能力:NDD05N50ZT4G能够处理高达5A的连续电流(I_D),这使其在需要大电流传输的应用中,如电机驱动和电源转换器中,表现非常优秀。

    - 低栅极电荷:该型号的栅极电荷(Q_G)较低,这意味着驱动NDD05N50ZT4G所需的能量较少,进一步提高了系统的效率,特别是在需要频繁开关的应用中表现优越。

    综上所述,NDD05N50ZT4G的应用场景和参数特点使其成为功率管理和电能转换领域中不可或缺的重要元件。其低导通电阻、高耐压、快速开关速度、高电流处理能力和低栅极电荷等特点确保了其在各类高效能应用中的广泛使用。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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