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场效应MOS管NDD04N50ZT4G参数

PD最大耗散功率:61WID最大漏源电流:3AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:2.7ΩVRDS(ON)ld通态电流:1.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~4.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:50μA

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    NDD04N50ZT4G是高效能的功率MOSFET,它在各种应用场景中都有广泛的应用。以下将详细描述NDD04N50ZT4G的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:NDD04N50ZT4G常用于电源管理系统中,尤其是在开关电源(SMPS)和直流-直流转换器(DC-DC Converter)中。这种MOSFET的低导通电阻(RDS(on))和高耐压特性,使其非常适合用于提高转换效率和降低功率损耗。

    2. 电机驱动器:在电机驱动器的应用中,NDD04N50ZT4G的高开关速度和高效能特点使其成为控制电机速度和方向的理想选择。它能有效降低电机启动和运行过程中的能量损耗,从而提升系统的整体性能。

    3. 太阳能逆变器:NDD04N50ZT4G在太阳能逆变器中也有重要应用。其高效率和高耐压特点,使其能够承受太阳能系统中的高电压和高电流,从而提高系统的能量转换效率,确保稳定运行。

    4. 电动汽车:NDD04N50ZT4G在电动汽车的电池管理系统(BMS)和电动驱动系统中发挥关键作用。它的高效率和可靠性特点,帮助提升电动汽车的续航里程和安全性能。

    5. 工业自动化设备:工业自动化设备中需要高效能和高可靠性的元器件来保证系统的稳定运行。NDD04N50ZT4G的高耐压和高电流处理能力,使其成为工业自动化控制系统中的理想选择。

    二、参数特点:

    - 高耐压(High Voltage Rating):NDD04N50ZT4G具有500V的高耐压能力,这使其适用于各种高压应用场景,如工业电源和电动汽车的高压电池系统。

    - 低导通电阻(Low RDS(on)):NDD04N50ZT4G的导通电阻非常低,典型值为0.35Ω。这一特点显著减少了导通损耗,提高了整体系统的效率。

    - 高开关速度(High Switching Speed):NDD04N50ZT4G具备快速的开关速度,使其在高频应用中表现优异,能够有效降低开关损耗,提升能量转换效率。

    - 高能量处理能力(High Energy Handling Capability):NDD04N50ZT4G能够处理高能量的瞬态电压和电流,确保在各种严苛的工作环境中依然能够稳定运行。这一特性在电机驱动和太阳能逆变器应用中尤为重要。

    - 可靠的封装(Reliable Packaging):NDD04N50ZT4G采用先进的封装技术,增强了其耐热性和机械强度,确保在高温和高压环境下依然能保持良好的性能和长寿命。

    通过上述描述,可以看出NDD04N50ZT4G不仅具备优秀的技术参数,还在多个应用场景中发挥着关键作用。其高效能和高可靠性使其成为现代电子系统中不可或缺的元器件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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