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肖特基二极管MJD112T4参数

最高反向峰值电压:100Vpk最大平均整流电流:2Aav最大峰值浪涌电流:4Apk最大反向漏电流:10UAds正向压降:Vpk

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    MJD112T4是肖特基二极管,这种二极管以其低正向压降和快速恢复时间在电子电路中广泛应用。本文将详细介绍MJD112T4的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:MJD112T4常用于开关电源和直流-直流转换器等电源管理电路中。由于其低正向压降,它可以在高效率的电源设计中减少能量损耗,提高整体效率。

    2. 整流电路:在整流电路中,MJD112T4作为整流二极管使用。其快速恢复特性使其非常适合高频应用,能够有效减少反向恢复时间,从而减少转换损耗。

    3. 保护电路:MJD112T4也常用于电路保护,例如防止反向电压损坏敏感元件。由于其快速响应和低压降特性,它能够在瞬态电压出现时迅速导通,保护后续电路免受损坏。

    4. 高频应用:由于MJD112T4具有低结电容和快速开关特性,它非常适合高频应用,如射频和微波电路。在这些应用中,它可以作为检波器或混频器等元件使用,提供快速和精确的信号处理。

    5. 太阳能逆变器:在太阳能逆变器中,MJD112T4用于提高能量转换效率。它在高频率下的低损耗特性,使其能够有效处理逆变器中的高频切换操作,提高整体系统的能效。

    二、参数特点:

    - 低正向压降:MJD112T4的正向压降非常低,通常在0.2V到0.45V之间。这种低压降减少了能量损耗,提高了电路的效率,特别是在低电压应用中尤为显著。

    - 快速恢复时间:MJD112T4的恢复时间极短,通常在几纳秒之内。这使得它能够在高频率下快速响应,减少反向恢复时间,从而降低开关损耗和电磁干扰(EMI)。

    - 高浪涌电流能力:MJD112T4能够处理高浪涌电流,这使得它在需要处理瞬态大电流的应用中表现出色。例如,在电源开关和电动机驱动中,能够可靠地承受浪涌电流而不损坏。

    - 低结电容:MJD112T4的结电容非常低,通常在几十皮法(pF)范围内。这一特性使得它在高频应用中表现优异,因为低结电容可以减少高频信号中的寄生效应,从而提高电路性能。

    - 高温稳定性:MJD112T4能够在高温环境下稳定工作,通常其工作温度范围为-65°C到+150°C。这种高温稳定性使得它在工业和汽车电子等苛刻环境中也能可靠工作。

    综上所述,MJD112T4肖特基二极管在电源管理、整流电路、保护电路、高频应用和太阳能逆变器等多个场景中都有着广泛应用。其低正向压降、快速恢复时间、高浪涌电流能力、低结电容和高温稳定性等参数特点,使得MJD112T4在各种应用中表现出色,成为设计工程师们的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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