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场效应MOS管KMB035N40DC参数

PD最大耗散功率:42WID最大漏源电流:35AV(BR)DSS漏源击穿电压:40VRDS(ON)Ω内阻:0.0175ΩVRDS(ON)ld通态电流:18AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~3VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    KMB035N40DC是一种常用的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),其广泛应用于电源管理、电机驱动和工业控制等领域。本文将详细介绍KMB035N40DC的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:KMB035N40DC常用于各种电源管理系统中,包括开关电源、DC-DC转换器和不间断电源(UPS)等。其低导通电阻和高开关速度使其在电源转换效率和热管理方面表现出色。特别是在高频开关电源中,KMB035N40DC能有效减少功率损耗,提高整体系统效率。

    2. 电机驱动:在电机驱动应用中,KMB035N40DC常被用于直流电机(DC motor)和无刷直流电机(BLDC motor)驱动电路中。其高电流承载能力和可靠的开关性能,能够满足电机驱动器对高速开关和高效能的需求,同时提供稳定的驱动能力。

    3. 工业控制:KMB035N40DC适用于各种工业控制系统,包括自动化控制设备和可编程逻辑控制器(PLC)等。其高耐压和高电流特性,使其能够在复杂的工业环境中稳定工作,提供可靠的电流控制和保护功能。

    4. 光伏逆变器:在光伏系统中,KMB035N40DC可用于光伏逆变器的设计。由于其高效率和低导通损耗,能够有效提升光伏逆变器的转换效率,减少能源损耗,从而提高整体系统的发电效率。

    5. 消费电子:KMB035N40DC还被广泛应用于各种消费电子产品中,如笔记本电脑、电池管理系统和便携式充电器等。其小尺寸和高效能特性,使其成为这些设备中电源管理和开关控制的理想选择。

    二、参数特点:

    - 导通电阻(Rds(on)):KMB035N40DC的导通电阻非常低,这意味着在导通状态下电流通过时的电阻小,能量损耗少。这一特点对于提高系统效率和降低发热量至关重要,尤其在高功率应用中表现尤为明显。

    - 耐压能力(Vds):KMB035N40DC具备较高的耐压能力,这使其能够在高电压环境下稳定运行。其耐压值通常在400V以上,适用于大部分高压应用场景,如电源管理和工业控制。

    - 开关速度:KMB035N40DC拥有快速的开关速度,这在高频应用中尤为重要。快速的开关速度不仅能提高转换效率,还能减少开关损耗,从而提高整体系统的性能和可靠性。

    - 热管理:由于KMB035N40DC的低导通电阻和高效能,其热管理性能优秀,能够在高功率密度环境下有效散热,确保设备长期稳定运行。这对于电源管理和电机驱动等高功率应用来说至关重要。

    - 封装形式:KMB035N40DC通常采用标准封装形式,如TO-220或TO-247,这些封装形式不仅有助于散热,还便于在各种电路板设计中灵活使用。其封装形式确保了在实际应用中安装方便、散热良好,并具有较高的机械强度。

    综上所述,KMB035N40DC作为一种高效能的MOSFET,其在电源管理、电机驱动、工业控制等领域展现出卓越的性能和广泛的应用前景。其低导通电阻、高耐压、高开关速度以及优异的热管理性能,使其成为许多高效能电子设备设计中的首选元件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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