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场效应MOS管KMB035N40DB参数

PD最大耗散功率:43WID最大漏源电流:35AV(BR)DSS漏源击穿电压:40VRDS(ON)Ω内阻:0.0175ΩVRDS(ON)ld通态电流:18AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1.7~3VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    KMB035N40DB是一种功率MOSFET,具有广泛的应用场景和独特的参数特点。以下将分别详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:KMB035N40DB常用于开关电源和电池管理系统中。由于其低导通电阻和高开关速度,可以有效提高电源转换效率,减少能量损耗。

    2. 电机控制:在电动汽车和工业自动化设备中,KMB035N40DB广泛应用于电机驱动和控制电路。其高耐压和大电流处理能力确保了电机在高功率和高电流条件下的稳定运行。

    3. 逆变器和转换器:在太阳能光伏系统和风力发电系统中,KMB035N40DB用于逆变器和DC-DC转换器,帮助实现直流到交流或不同电压等级的转换,保证系统的高效能量传输。

    4. 音频放大器:在音响系统中,KMB035N40DB作为功率放大器的输出级元件,提供高质量的音频放大效果,适用于高保真音响设备。

    5. 工业控制设备:KMB035N40DB在各种工业控制设备中用作开关和调节元件,应用于自动化生产线、数控机床等需要精确控制和高可靠性的场合。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):KMB035N40DB具有极低的导通电阻,典型值为35毫欧(mΩ),这使得其在工作时的功耗非常低,提高了整体系统的效率。

    - 高耐压能力:KMB035N40DB的最大漏源电压(VDS)可达40V,能够承受较高的电压应力,适用于高压电源和大功率设备。

    - 大电流处理能力:KMB035N40DB的最大连续漏极电流(ID)为35A,能处理较大的电流负载,适用于高电流需求的应用场景。

    - 快速开关性能:KMB035N40DB的开关速度快,开关损耗低,使其非常适合高频开关电路,提高了系统的动态性能。

    - 热性能优越:KMB035N40DB具有良好的热管理性能,热阻低,有助于在高功率运行时散热,保证器件的稳定性和寿命。

    通过上述对KMB035N40DB的详细描述,可以看出该型号的功率MOSFET在各个领域中有着广泛的应用,并且其优异的参数特点确保了在不同应用场景下的高效、稳定运行。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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