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场效应MOS管ISL9R860S3ST参数

PD最大耗散功率:85WID最大漏源电流:8V(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:ΩVRDS(ON)ld通态电流:AVRDS(ON)栅极电压:VVGS(th)V开启电压:VVGS(th)ld(μA)开启电流:μA

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    ISL9R860S3ST是一款高性能的场效应MOS管,广泛应用于各类电子设备中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:在电源管理系统中,ISL9R860S3ST常用于DC-DC转换器和AC-DC电源适配器中,帮助实现高效能量转换和电压调节。其低导通电阻特性能够显著降低功耗,提升系统效率。

    2. 汽车电子:ISL9R860S3ST在汽车电子中的应用非常广泛,尤其在电动车和混合动力车辆的电池管理系统、驱动电路和充电模块中。其高耐压和高电流处理能力,确保在苛刻的工作环境下依然能够稳定运行。

    3. 工业控制:在工业自动化和控制系统中,ISL9R860S3ST常用于电机驱动、伺服控制和开关电源等领域。其高频特性和快速开关能力,使其成为需要快速响应和高可靠性的工业应用的理想选择。

    4. 消费电子:在手机、平板电脑、笔记本电脑等消费电子设备中,ISL9R860S3ST被广泛用于电源模块和电池保护电路中。其小型化封装和高效能特点,使其适用于空间受限且要求高效能的应用。

    5. 通信设备:ISL9R860S3ST在通信设备中的应用包括基站电源、网络交换机和路由器等。其高效能和高可靠性,保证了通信设备的稳定运行和长期使用。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:ISL9R860S3ST的典型导通电阻极低,约为8毫欧姆(mΩ),这使其在导通状态下的损耗非常小,从而提升整体电路效率。

    - 高耐压:该型号的耐压高达60V,适用于多种需要高电压操作的应用场景,如电源转换和电池管理系统。

    - 大电流处理能力:ISL9R860S3ST能够处理高达80安培(A)的连续电流,适合高功率应用,例如电机驱动和大功率电源模块。

    - 快速开关速度:该MOS管具有极快的开关速度,典型的开关时间仅为几十纳秒(ns),这使其在高频应用中表现出色,能够有效减少开关损耗。

    - 热性能:ISL9R860S3ST具有优良的热性能,热阻低,能够有效散热,保证器件在高温环境下依然能够可靠工作。

    综上所述,ISL9R860S3ST作为一款高性能场效应MOS管,凭借其优越的参数和广泛的应用场景,成为了各类电子设备中不可或缺的关键器件。在电源管理、汽车电子、工业控制、消费电子和通信设备等领域的出色表现,使其备受工程师们的青睐。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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