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场效应MOS管ISL9N322AD3ST参数

PD最大耗散功率:28WID最大漏源电流:1AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:8ΩVRDS(ON)ld通态电流:0.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    ISL9N322AD3ST是一款高效能的N沟道功率MOSFET,其设计和制造使其非常适合于各种应用场景。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:在开关电源和DC-DC转换器中,ISL9N322AD3ST能够提供高效率的电流控制和转换,确保设备的稳定运行。

    2. 电动工具:由于其高电流承载能力和快速开关特性,ISL9N322AD3ST广泛应用于电动工具中,提高工具的性能和寿命。

    3. 电机驱动器:ISL9N322AD3ST能够有效驱动电机,应用在工业自动化、机器人和家用电器的电机控制系统中,提供稳定的功率输出。

    4. 汽车电子:在汽车电子中,ISL9N322AD3ST用于控制各种电动部件,如电动座椅、车窗和风扇,提供高可靠性和高效率。

    5. 消费电子:智能手机、平板电脑等消费电子产品中的电源管理模块也常使用ISL9N322AD3ST,以保证设备的长续航和高性能。

    二、参数特点:

    1. 电流承载能力:ISL9N322AD3ST具有高达30A的连续漏极电流能力,能够在高电流应用中提供可靠的性能。

    2. 低导通电阻:该型号的导通电阻仅为0.014Ω,能够显著降低功耗,提高系统的整体效率。

    3. 高击穿电压:ISL9N322AD3ST的漏源击穿电压高达100V,使其能够在高电压环境下稳定工作,适用于多种复杂应用场景。

    4. 快速开关速度:ISL9N322AD3ST的开关速度非常快,减少了开关损耗,有助于提高系统的响应速度和效率。

    5. 封装形式:采用TO-252封装,ISL9N322AD3ST具有良好的热性能和机械稳定性,方便在各种电路板上安装和使用。

    综上所述,ISL9N322AD3ST凭借其优越的电流承载能力、低导通电阻、高击穿电压、快速开关速度以及优良的封装形式,在电源管理、电动工具、电机驱动、汽车电子和消费电子等多种应用领域展现出了卓越的性能和可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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