收藏壹芯微 | 在线留言| 网站地图

您好!欢迎光临壹芯微科技品牌官网

壹芯微

深圳市壹芯微科技有限公司二极管·三极管·MOS管·桥堆

全国服务热线:13534146615

壹芯微二极管
首页 » 壹芯微产品中心 » 三极管 » 场效应管 » 场效应MOS管ISL9N312AD3ST参数

场效应MOS管ISL9N312AD3ST参数

PD最大耗散功率:75WID最大漏源电流:50AV(BR)DSS漏源击穿电压:30VRDS(ON)Ω内阻:0.012ΩVRDS(ON)ld通态电流:50AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~3VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

立即咨询


    ISL9N312AD3ST是一种高性能、低损耗的N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备和系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:ISL9N312AD3ST常用于开关电源中,能够在高频率下高效转换电能,降低能量损耗,提高系统效率。

    2. 电动工具:在需要大电流、高效率的电动工具中,ISL9N312AD3ST提供了可靠的电流传输和开关控制能力。

    3. 电动汽车:该器件在电动汽车的驱动系统和电池管理系统中发挥重要作用,帮助提升电动汽车的整体性能。

    4. 太阳能逆变器:ISL9N312AD3ST在太阳能发电系统的逆变器中用于转换直流电为交流电,具有高效率和低发热的特点。

    5. 电机控制系统:用于各种工业和消费类电机控制系统中,ISL9N312AD3ST可以有效地控制电机的启动、停止和速度调节。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:ISL9N312AD3ST的导通电阻非常低,通常在几毫欧姆级别,确保在高电流通过时的能量损耗降至最低。

    - 高耐压:该器件的击穿电压高达120V,使其能够在高压环境中可靠运行,适用于各种高压应用场景。

    - 高开关速度:ISL9N312AD3ST具有极快的开关速度,这使其在高频率开关电路中表现出色,减少了开关损耗。

    - 低栅极电荷:低栅极电荷意味着驱动该器件所需的能量较少,这不仅提高了效率,还简化了驱动电路的设计。

    - 高峰值脉冲电流:ISL9N312AD3ST能够承受高达150A的峰值脉冲电流,这在需要短时间内传输大电流的应用中非常关键。

    通过上述应用场景和参数特点可以看出,ISL9N312AD3ST是一款性能优越、应用广泛的N沟道功率MOSFET,适用于各类高效能和高可靠性的电子设备和系统中。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

    扫一扫!

    深圳市壹芯微科技有限公司 版权所有 | 备案号:粤ICP备2020121154号