PD最大耗散功率:75WID最大漏源电流:50AV(BR)DSS漏源击穿电压:30VRDS(ON)Ω内阻:0.012ΩVRDS(ON)ld通态电流:50AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~3VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA
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一、应用场景:
1. 开关电源:ISL9N312AD3ST常用于开关电源中,能够在高频率下高效转换电能,降低能量损耗,提高系统效率。
2. 电动工具:在需要大电流、高效率的电动工具中,ISL9N312AD3ST提供了可靠的电流传输和开关控制能力。
3. 电动汽车:该器件在电动汽车的驱动系统和电池管理系统中发挥重要作用,帮助提升电动汽车的整体性能。
4. 太阳能逆变器:ISL9N312AD3ST在太阳能发电系统的逆变器中用于转换直流电为交流电,具有高效率和低发热的特点。
5. 电机控制系统:用于各种工业和消费类电机控制系统中,ISL9N312AD3ST可以有效地控制电机的启动、停止和速度调节。
二、参数特点:
- 低导通电阻:ISL9N312AD3ST的导通电阻非常低,通常在几毫欧姆级别,确保在高电流通过时的能量损耗降至最低。
- 高耐压:该器件的击穿电压高达120V,使其能够在高压环境中可靠运行,适用于各种高压应用场景。
- 高开关速度:ISL9N312AD3ST具有极快的开关速度,这使其在高频率开关电路中表现出色,减少了开关损耗。
- 低栅极电荷:低栅极电荷意味着驱动该器件所需的能量较少,这不仅提高了效率,还简化了驱动电路的设计。
- 高峰值脉冲电流:ISL9N312AD3ST能够承受高达150A的峰值脉冲电流,这在需要短时间内传输大电流的应用中非常关键。
通过上述应用场景和参数特点可以看出,ISL9N312AD3ST是一款性能优越、应用广泛的N沟道功率MOSFET,适用于各类高效能和高可靠性的电子设备和系统中。
工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
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