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场效应MOS管ISL9N310AS3ST参数

PD最大耗散功率:70WID最大漏源电流:26V(BR)DSS漏源击穿电压:30VRDS(ON)Ω内阻:0.012ΩVRDS(ON)ld通态电流:62AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~3VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    ISL9N310AS3ST是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于高效率电源管理系统中。本文将详细介绍ISL9N310AS3ST的应用场景及其参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:在各种电源管理系统中,ISL9N310AS3ST常用作开关元件,因其低导通电阻和高效率特性,有助于提高整个系统的效率。

    2. 电动汽车:在电动汽车的动力系统中,ISL9N310AS3ST可用于电池管理系统和电动机控制器,帮助提升能效和延长电池寿命。

    3. 可再生能源系统:在太阳能逆变器和风能系统中,ISL9N310AS3ST因其高可靠性和高效率而被广泛采用,用于提升能源转换效率。

    4. 工业自动化设备:工业自动化设备中的电机驱动和控制电路通常需要高性能的MOSFET,ISL9N310AS3ST凭借其高电流处理能力和快速开关特性,满足了这一需求。

    5. 消费电子产品:在高性能消费电子产品中,如智能手机和平板电脑的电源管理模块,ISL9N310AS3ST也有着广泛的应用,帮助提升设备的电源效率和可靠性。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):ISL9N310AS3ST的导通电阻极低,典型值为0.007Ω,这意味着在开通状态下,它能以最低的电阻通过电流,从而减少能量损耗,提高整体系统效率。

    - 高电流处理能力:ISL9N310AS3ST具有高达80A的连续漏极电流处理能力,使其非常适合应用在需要处理大电流的系统中,如电动汽车和工业自动化设备。

    - 高击穿电压:ISL9N310AS3ST的漏极-源极击穿电压为100V,能够在较高电压下稳定工作,适用于要求高耐压的电源管理系统。

    - 快速开关速度:ISL9N310AS3ST的开关速度非常快,具有较短的开关时间和关断时间,从而能够在高频率工作下有效减少开关损耗,提升效率。

    - 增强型驱动能力:ISL9N310AS3ST设计有增强型的驱动能力,能够在较低的栅极驱动电压下实现高效工作,适用于低压驱动环境。

    综上所述,ISL9N310AS3ST凭借其低导通电阻、高电流处理能力、高击穿电压、快速开关速度及增强型驱动能力,在电源管理、电动汽车、可再生能源、工业自动化和消费电子等多种应用场景中展现出了其独特的优势和广泛的适用性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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