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场效应MOS管ISL9N310AD3ST参数

PD最大耗散功率:70WID最大漏源电流:62AV(BR)DSS漏源击穿电压:30VRDS(ON)Ω内阻:0.01ΩVRDS(ON)ld通态电流:62AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~3VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    ISL9N310AD3ST是一款高性能的功率MOSFET,广泛应用于各种需要高效开关和低导通损耗的电子设备中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):ISL9N310AD3ST常用于开关电源设计中,特别是在高效率和高功率密度的电源模块中。其低导通电阻和快速开关特性有助于减少能量损耗,提高电源转换效率。

    2. 电机驱动:在电机控制和驱动系统中,ISL9N310AD3ST能提供高效的电流开关功能。这在工业自动化和电动汽车领域尤为重要,能有效减少电机驱动中的能量损耗,提升整体系统性能。

    3. 太阳能逆变器:ISL9N310AD3ST也广泛应用于太阳能逆变器中。这些逆变器需要高效的功率转换器件以优化能源利用,ISL9N310AD3ST的低导通电阻和高耐压特性使其成为理想选择。

    4. 电池管理系统(BMS):在电池管理系统中,ISL9N310AD3ST可用于电池的充放电管理,确保电池在高效和安全的条件下运行。其高开关速度和低损耗特性有助于提高电池的使用寿命和可靠性。

    5. UPS(不间断电源):ISL9N310AD3ST也常用于不间断电源系统中。UPS系统需要在电源中断时迅速切换至备用电源,ISL9N310AD3ST的快速响应和高效能量传输能力使其在此类应用中表现出色。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):ISL9N310AD3ST具有极低的导通电阻,这意味着当MOSFET处于导通状态时,其内阻极小,从而减少了导通损耗,提高了整体效率。

    - 高耐压能力:ISL9N310AD3ST的耐压能力较高,通常可达到数百伏。这使其能够在高电压应用中安全运行,提供可靠的性能。

    - 快速开关速度:ISL9N310AD3ST设计为快速开关器件,其开关速度极快,能够在短时间内实现高频率开关。这对需要快速响应的电源转换和电机控制应用尤为关键。

    - 高脉冲电流承载能力:ISL9N310AD3ST能够承受高脉冲电流,适用于需要大电流短时间冲击的应用场景,如电机启动和电池充放电等。

    - 低栅极电荷(Qg):ISL9N310AD3ST具有低栅极电荷,这意味着在开关过程中所需的栅极驱动功率较小,从而减少了驱动电路的功耗,提高了整体系统效率。

    综上所述,ISL9N310AD3ST凭借其低导通电阻、高耐压、快速开关、高脉冲电流承载能力和低栅极电荷等优异的参数特点,成为许多高效能应用的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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