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场效应MOS管ISL9N308AD3ST参数

PD最大耗散功率:100WID最大漏源电流:50AV(BR)DSS漏源击穿电压:30VRDS(ON)Ω内阻:0.008ΩVRDS(ON)ld通态电流:50AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~3VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    ISL9N308AD3ST是一种高效的N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),它具有多种应用场景。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:ISL9N308AD3ST在开关电源和DC-DC转换器中,由于其低导通电阻和高效的开关性能,能够有效地提高转换效率,减少能量损耗。

    2. 电机驱动控制:在电机控制器中,ISL9N308AD3ST能够提供稳定和高效的电流控制,适用于各种直流电机、步进电机和无刷电机的驱动应用。

    3. 太阳能逆变器:ISL9N308AD3ST在太阳能光伏系统中用于逆变器的开关装置,能够承受高电压和大电流,使其在太阳能电池板和电网之间进行高效的电能转换。

    4. 电动汽车:在电动汽车的电池管理系统和驱动系统中,ISL9N308AD3ST的高效能和耐高温特性,使其成为电动汽车领域的重要元器件。

    5. 工业控制系统:在各种工业自动化和控制系统中,ISL9N308AD3ST能够实现精确的电流控制和高效的能量转换,确保系统的稳定性和可靠性。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):ISL9N308AD3ST的典型导通电阻非常低,通常在10毫欧以下,这意味着在高电流条件下,功率损耗较低,提高了系统的整体效率。

    - 高耐压能力:ISL9N308AD3ST的漏源极电压(VDS)可以高达100V,这使得它可以在高压环境下安全运行,适用于需要高电压开关的应用场景。

    - 高电流承载能力:ISL9N308AD3ST的连续漏极电流(ID)能够达到30A以上,这使其能够处理大电流的应用,如电机驱动和电源管理系统。

    - 快速开关速度:ISL9N308AD3ST的开关速度非常快,开关时间通常在几十纳秒级别,这使得它在高频率的开关电源和逆变器中表现优异,减少了开关损耗。

    - 优良的热性能:ISL9N308AD3ST具有较低的热阻(RθJC),这意味着它在高功率应用中能够有效地散热,保证晶体管在高温环境下稳定运行。

    综上所述,ISL9N308AD3ST作为一种高效的N沟道功率MOSFET,具有广泛的应用场景和出色的参数特点。无论是在电源管理、电机控制、太阳能逆变器、电动汽车,还是工业控制系统中,ISL9N308AD3ST都能够提供可靠和高效的性能。其低导通电阻、高耐压、高电流承载能力、快速开关速度和优良的热性能,使得它成为现代电子系统中不可或缺的重要组件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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