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场效应MOS管ISL9N303AP3参数

PD最大耗散功率:215WID最大漏源电流:75AV(BR)DSS漏源击穿电压:30VRDS(ON)Ω内阻:0.0032ΩVRDS(ON)ld通态电流:75AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~3VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    ISL9N303AP3是一种高效能的N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备和电力系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:ISL9N303AP3在开关电源(SMPS)和直流-直流转换器(DC-DC Converter)中,由于其低导通电阻和高效能,使其成为理想的选择。这些特性有助于提高系统的整体效率,减少能量损耗。

    2. 电机驱动器:ISL9N303AP3常用于各种电机控制电路,如无刷直流电机(BLDC)和步进电机驱动器。其快速开关速度和高电流处理能力,使其在电机控制应用中表现优异。

    3. 太阳能逆变器:在太阳能发电系统中,逆变器将直流电转换为交流电,ISL9N303AP3能提供高效的功率转换和低损耗,保证系统的稳定性和高效能。

    4. 电动汽车充电器:电动汽车的充电系统需要高效能和高可靠性的电子元件,ISL9N303AP3具备高耐压和高电流处理能力,是充电器电路中的理想元件。

    5. 工业自动化设备:在工业自动化领域,如可编程逻辑控制器(PLC)和机器人控制系统中,ISL9N303AP3的高效能和可靠性为复杂的控制电路提供了坚实的支持。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):ISL9N303AP3的导通电阻极低,通常在几毫欧姆级别。这意味着在开关状态下,功率损耗非常小,有助于提高系统的整体效率。

    - 高耐压(VDS):ISL9N303AP3具有高达300V的漏源极耐压,使其能够在高压环境下安全运行,适用于需要高电压处理能力的应用。

    - 大电流处理能力(ID):ISL9N303AP3的连续漏极电流高达30A,能承受高电流负载,适用于高功率应用。

    - 快速开关速度:ISL9N303AP3的栅极电荷(Qg)低,开关速度快,有助于减少开关损耗,提高系统的转换效率。

    - 热性能优越:ISL9N303AP3具有低热阻(RθJC),能有效散热,保证在高功率条件下的稳定运行。

    - 高可靠性:ISL9N303AP3经过严格的质量控制和测试,确保其在长时间工作中的高可靠性,适用于各种工业和商业应用。

    综上所述,ISL9N303AP3由于其低导通电阻、高耐压、大电流处理能力和快速开关速度,成为电源管理、电机驱动、太阳能逆变器、电动汽车充电器以及工业自动化设备等领域的理想选择。这些优越的参数特点使ISL9N303AP3在实际应用中表现出色,为系统的高效能和可靠性提供了保障。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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