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场效应MOS管ISL9N302AS3ST参数

PD最大耗散功率:345WID最大漏源电流:75V(BR)DSS漏源击穿电压:30AVRDS(ON)Ω内阻:0.0023ΩVRDS(ON)ld通态电流:75AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~3VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    ISL9N302AS3ST是一款高性能的N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于各种功率电子设备中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 通信设备:ISL9N302AS3ST常见于通信设备中,用于功率放大和信号处理,保证设备的高效运行。

    2. 工业自动化:在工业控制系统中,ISL9N302AS3ST被广泛应用于马达控制和高效能源转换系统,提升设备的稳定性和效率。

    3. 电动车电源系统:ISL9N302AS3ST在电动车辆的电源管理单元中发挥关键作用,支持高功率电能转换。

    4. 太阳能逆变器:用于太阳能发电系统中,ISL9N302AS3ST能够有效管理和转换电能,提高能源利用效率。

    5. 消费电子产品:ISL9N302AS3ST被应用于高性能音响系统和电视设备中的功率放大模块,以提升产品性能。

    二、参数特点:

    1. 低导通电阻:ISL9N302AS3ST的导通电阻仅为10.5mΩ,适合低电压和高电流应用,有效降低能量损耗。

    2. 高耐压能力:具有高达60V的耐压特性,适用于各种工业和汽车电子设备,保证在高压环境中的稳定性。

    3. 高速开关特性:典型的开关时间为13ns,确保在高频率操作时的快速响应和稳定性。

    4. 内建ESD保护:集成了ESD保护功能,有效抵御静电放电对器件的损害,提升设备的可靠性。

    5. 良好的散热性能:ISL9N302AS3ST采用TO-263封装,提供优良的散热能力,适合长时间高功率运行的应用场景。

    综上所述,ISL9N302AS3ST作为一款多功能、高性能的功率MOSFET,不仅在工业控制和电源管理领域广泛应用,其优异的参数特性也使其成为各种电子设备中不可或缺的重要组成部分。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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