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场效应MOS管ISL9N302AP3参数

PD最大耗散功率:345WID最大漏源电流:75AV(BR)DSS漏源击穿电压:30VRDS(ON)Ω内阻:0.0025ΩVRDS(ON)ld通态电流:75AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~3VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    ISL9N302AP3是一种高效能的功率MOSFET,被广泛应用于多个电子设备和电力系统中,具体应用场景包括。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:在开关电源(SMPS)中,ISL9N302AP3常用于提高转换效率,减少能量损失。这款MOSFET能够处理高频率的开关操作,使其在小型电源模块中表现出色。

    2. 电机驱动器:在电机驱动器中,ISL9N302AP3能高效地控制直流电机和无刷电机的运行。这款器件具有低导通电阻,能够在高电流情况下保持低热损耗,提高系统的可靠性和效率。

    3. 不间断电源(UPS):在UPS系统中,ISL9N302AP3可以作为逆变器的一部分,帮助实现高效的电能转换和稳定的电力供应,保障关键设备的持续运行。

    4. 太阳能逆变器:在太阳能逆变器中,ISL9N302AP3被用于转换直流电为交流电,其高效能和低损耗特性使其非常适合处理来自太阳能板的不稳定电压。

    5. 电动汽车充电站:在电动汽车充电站中,ISL9N302AP3用于高效能的充电模块,以确保快速和安全的充电过程,提升充电站的总体性能。

    二、参数特点:

    1. 低导通电阻(RDS(on)):ISL9N302AP3的低导通电阻使其在高电流操作下能够保持低功耗。这一特点在高效能电源和电机驱动应用中尤为重要。

    2. 高击穿电压(VDS):ISL9N302AP3的击穿电压高达300V,使其能够在高电压环境中稳定运行,适用于需要高耐压特性的应用场景。

    3. 高速开关性能:ISL9N302AP3具有快速的开关速度,这在需要高频率开关操作的设备中非常有利,如开关电源和逆变器。

    4. 低栅极电荷(Qg):低栅极电荷使ISL9N302AP3在开关过程中消耗的能量更少,提高了整体系统的效率和响应速度。

    5. 封装类型:ISL9N302AP3采用TO-220封装,这种封装形式具有良好的散热性能和机械强度,适合各种工业和商业应用。

    通过以上参数特点的详细分析,可以看出ISL9N302AP3在多种应用中具备卓越的性能和可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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