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场效应MOS管IRLR024NTRPBF参数

PD最大耗散功率:230WID最大漏源电流:120AV(BR)DSS漏源击穿电压:75VRDS(ON)Ω内阻:5.8MΩVRDS(ON)ld通态电流:75AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:150μAGfs(min)S跨导:320SGfs(min)VDS漏源电压:50VGfs(min)lo通态电流:75A

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    IRLR024NTRPBF是一种N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子电路中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:在开关电源和DC-DC转换器中,IRLR024NTRPBF由于其低导通电阻和高开关速度,被用作功率开关,以提高系统的效率和稳定性。

    2. 电机控制:在电机驱动和控制系统中,IRLR024NTRPBF用于PWM(脉宽调制)控制电路,提供高效的电流控制和转矩调节。

    3. 照明系统:IRLR024NTRPBF常用于LED驱动器中,确保LED灯具的稳定性和高效能。

    4. 消费电子:在智能手机、平板电脑等消费电子设备中,IRLR024NTRPBF用于电池管理和充电电路,提升设备的续航能力和充电速度。

    5. 汽车电子:在汽车电子系统中,IRLR024NTRPBF用于各种控制模块,如车身控制模块(BCM)和电机控制模块(MCM),提供可靠的电源管理和控制。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):IRLR024NTRPBF的导通电阻非常低,典型值仅为4.5mΩ(VGS = 10V),这意味着在工作过程中产生的功耗较低,有助于提高系统效率。

    - 高电流处理能力:IRLR024NTRPBF能够处理高达52A的连续电流,适用于高功率应用场景。

    - 低栅极电荷(Qg):IRLR024NTRPBF的总栅极电荷为55nC,使其具有较快的开关速度,有利于高频应用。

    - 高击穿电压(VDSS):IRLR024NTRPBF的击穿电压为40V,适用于中等电压范围的应用,确保在各种工作条件下的稳定性和可靠性。

    - 热性能优异:IRLR024NTRPBF的热阻(RθJA)较低,保证在高功率应用中具有良好的散热性能,从而延长器件的使用寿命。

    综上所述,IRLR024NTRPBF凭借其低导通电阻、高电流处理能力、低栅极电荷和优异的热性能,成为电源管理、电机控制、照明系统、消费电子和汽车电子等领域的理想选择。使用IRLR024NTRPBF能够显著提升系统的效率和可靠性,满足各种高性能应用的需求。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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