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场效应MOS管HUFA76429D3参数

PD最大耗散功率:110WID最大漏源电流:20AV(BR)DSS漏源击穿电压:60VRDS(ON)Ω内阻:0.023ΩVRDS(ON)ld通态电流:20AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~3VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    HUFA76429D3是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备和电源管理系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:在开关电源中,HUFA76429D3用于高效的电能转换。其低导通电阻和快速开关速度,使得电源在不同负载条件下都能保持高效率和稳定性。

    2. 电机驱动:在电机驱动电路中,HUFA76429D3因其高电流处理能力和低导通损耗,被用于控制电机的启停和速度调节,从而提高系统的整体性能和可靠性。

    3. DC-DC转换器:在DC-DC转换器中,HUFA76429D3作为主要开关元件,实现电压的高效转换和稳压。其高开关频率特性使转换器能够在更小的尺寸下工作。

    4. 光伏逆变器:在光伏逆变器中,HUFA76429D3用于转换太阳能板产生的直流电为交流电,供给家庭或工业使用。其高效率和高可靠性,确保了能源的有效利用。

    5. 电动汽车:在电动汽车的电池管理系统和动力控制单元中,HUFA76429D3被广泛应用。其优异的电流处理能力和耐高压特性,为电动汽车的安全和高效运行提供保障。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):HUFA76429D3的导通电阻极低,典型值为0.029Ω,这有效减少了导通损耗,提高了系统的效率。

    - 高电流处理能力:HUFA76429D3的最大连续漏极电流可达75A,能够处理高功率应用中的大电流需求。

    - 耐高压特性:HUFA76429D3的漏源击穿电压(BVDSS)高达100V,适用于高压应用场景,确保了元件的可靠性和安全性。

    - 快速开关速度:HUFA76429D3具有快速的开关速度,开关时间短,减少了开关损耗,适合高频应用。

    - 封装类型:HUFA76429D3采用TO-220封装,这种封装形式具有良好的散热性能和机械强度,便于安装和应用。

    综上所述,HUFA76429D3是一款性能优异的N沟道功率MOSFET,其低导通电阻、高电流处理能力、耐高压特性和快速开关速度,使其在开关电源、电机驱动、DC-DC转换器、光伏逆变器和电动汽车等应用中表现出色。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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