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场效应MOS管HUFA76419D3ST参数

PD最大耗散功率:75WID最大漏源电流:20AV(BR)DSS漏源击穿电压:60VRDS(ON)Ω内阻:0.037ΩVRDS(ON)ld通态电流:20AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    HUFA76419D3ST是一种先进的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),其应用场景和参数特点如下:

    一、应用场景:

    1. 电源管理:HUFA76419D3ST在电源管理系统中广泛应用,特别是在DC-DC转换器和AC-DC电源适配器中。其高效的开关性能能够显著降低功耗,提高系统效率,适用于笔记本电脑、台式机以及服务器等设备。

    2. 电机驱动:在电机驱动领域,HUFA76419D3ST凭借其低导通电阻和高电流承载能力,成为无刷直流电机(BLDC)和步进电机驱动的理想选择。它能够提供稳定的电流,确保电机平稳运行,常用于工业自动化和电动工具中。

    3. 光伏逆变器:HUFA76419D3ST在光伏逆变器中发挥重要作用,特别是在太阳能发电系统中。其高频开关能力有助于提高逆变器的转换效率,从而提高整个系统的发电效率。

    4. 汽车电子:随着汽车电子化程度的提高,HUFA76419D3ST在汽车电控系统中的应用也越来越广泛。例如,在电动汽车的电池管理系统、车载充电器和电动转向系统中,它能够提供可靠的功率控制。

    5. 电源保护电路:HUFA76419D3ST还用于各种电源保护电路中,包括过压保护和过流保护电路。其快速响应能力能够在电路中出现异常时迅速做出反应,保护敏感的电子元件免受损坏。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:HUFA76419D3ST的低导通电阻(Rds(on))是其显著特点之一。这意味着在导通状态下,它的电阻非常低,从而减少了功耗,提高了系统的效率。

    - 高电流承载能力:HUFA76419D3ST具有出色的电流承载能力,能够处理大电流应用而不会过热或失效。这使得它非常适合用于需要高电流驱动的应用场景。

    - 快速开关速度:HUFA76419D3ST具有非常快的开关速度,这对于高频开关应用至关重要。快速的开关速度不仅提高了效率,还减少了开关损耗。

    - 耐高压:HUFA76419D3ST能够承受较高的电压,这使得它在高压应用中也能保持稳定工作。其耐压特性确保了在严苛环境下的可靠性。

    - 热性能优越:HUFA76419D3ST具有良好的热性能,能够有效地散热,防止过热情况的发生。这种特性特别适合于高功率和高密度的电子设备中使用。

    综上所述,HUFA76419D3ST凭借其优异的性能和广泛的应用场景,成为许多电子设计工程师的首选。在电源管理、电机驱动、光伏逆变器、汽车电子以及电源保护电路等领域,它的应用前景十分广阔。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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