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场效应MOS管HUFA76413P3参数

PD最大耗散功率:60WID最大漏源电流:22AV(BR)DSS漏源击穿电压:60VRDS(ON)Ω内阻:0.049ΩVRDS(ON)ld通态电流:23AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~3VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    HUFA76413P3是一种高性能N沟道功率MOSFET,广泛应用于多个领域,特别是在高效电力转换和管理系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:HUFA76413P3常用于开关电源和DC-DC转换器中,因其低导通电阻和快速开关速度,可以提高系统的转换效率并减少功耗。

    2. 电机驱动器:在电机控制和驱动应用中,HUFA76413P3能够提供稳定的高功率输出和快速响应,确保电机运行的平稳性和效率。

    3. 太阳能逆变器:在光伏发电系统中,HUFA76413P3用于逆变器模块,其高效能和耐高压特性使其能在严苛的工作环境中保持可靠的性能。

    4. 电动汽车:在电动汽车的电池管理系统和驱动系统中,HUFA76413P3的高效率和高可靠性能够延长电池寿命并提高整车性能。

    5. 不间断电源(UPS):HUFA76413P3在UPS系统中发挥重要作用,通过高效的电能转换和管理,保障关键设备的持续稳定运行。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:HUFA76413P3的导通电阻(RDS(on))极低,通常在几毫欧范围内,这有助于减少导通损耗,提高整体系统效率。

    - 高耐压:HUFA76413P3具有较高的漏源极电压(VDSS),通常可达75V,适合用于需要高电压容忍度的应用环境。

    - 高电流处理能力:该器件能够处理大电流,通常可以达到数十安培的水平,适合大功率应用需求。

    - 快速开关特性:HUFA76413P3具有极快的开关速度(开关时间通常在纳秒级),这使得它在高频率的开关电源和逆变器应用中表现优异。

    - 热性能良好:HUFA76413P3在设计上考虑了良好的散热特性,能够在高温环境下稳定工作,保证器件的长期可靠性。

    综上所述,HUFA76413P3凭借其低导通电阻、高耐压、高电流处理能力、快速开关特性和良好的热性能,在多个高效能和高可靠性的应用场景中广泛使用,展现出强大的性能优势。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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