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场效应MOS管HUFA76409D3ST参数

PD最大耗散功率:49WID最大漏源电流:17AV(BR)DSS漏源击穿电压:60VRDS(ON)Ω内阻:0.063ΩVRDS(ON)ld通态电流:18AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~3VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    HUFA76409D3ST是一款N沟道MOSFET器件,其应用场景和参数特点如下:

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:在电源管理系统中,HUFA76409D3ST经常被用作开关元件,以提高系统的效率和稳定性。由于其低导通电阻和快速开关速度,能够有效减少功率损耗,提高电源转换效率。

    2. 电机驱动:HUFA76409D3ST在电机驱动控制器中发挥着重要作用。其高电流处理能力和耐高压特性使其适用于各种类型的电机控制,包括直流电机和无刷电机。

    3. 太阳能逆变器:在太阳能光伏系统中,HUFA76409D3ST被用作逆变器中的关键开关器件。其高效率和可靠性使得逆变器能够高效地将直流电转换为交流电,从而提高整个太阳能系统的发电效率。

    4. 电动汽车充电桩:HUFA76409D3ST在电动汽车充电桩中同样有广泛的应用。其高效率和高可靠性确保了充电桩能够稳定、安全地为电动汽车提供电能。

    5. 通信设备:在通信设备中,HUFA76409D3ST用于电源调节和信号放大。其优异的开关性能和低噪声特性,使得通信设备能够稳定工作,提供高质量的信号传输。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:HUFA76409D3ST的导通电阻非常低,这意味着在工作时的功率损耗很小。这一特点使其非常适合用于需要高效率和低热量输出的应用场景。

    - 高电流处理能力:HUFA76409D3ST可以处理高达几十安培的电流,适用于需要大电流的应用,如电机驱动和大功率电源系统。

    - 耐高压特性:HUFA76409D3ST具有较高的击穿电压,能够在高压环境下稳定工作,确保电路的安全性和可靠性。

    - 快速开关速度:HUFA76409D3ST的开关速度非常快,能够在纳秒级别完成开关操作。这一特点使其在高频应用中表现优异,如高频开关电源和射频放大器。

    - 低门极电荷:HUFA76409D3ST的门极电荷较低,这意味着驱动该器件所需的能量较少,能够降低驱动电路的复杂性和功耗,提升整体系统的效率。

    综上所述,HUFA76409D3ST凭借其优异的参数特点和广泛的应用场景,成为许多电子系统中不可或缺的关键器件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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