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场效应MOS管HUFA76407P3参数

PD最大耗散功率:38WID最大漏源电流:12AV(BR)DSS漏源击穿电压:60VRDS(ON)Ω内阻:0.092ΩVRDS(ON)ld通态电流:13AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~3VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    HUFA76407P3是一种高效能的功率MOSFET,广泛应用于多个领域。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:HUFA76407P3常用于各种电源管理系统中,包括开关电源(SMPS)、直流-直流转换器(DC-DC Converter)和不间断电源(UPS)等。它具有高效的导通电阻和快速的开关速度,能够有效提高系统的转换效率和稳定性。

    2. 汽车电子:在汽车电子中,HUFA76407P3被用于电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)的电机驱动、车载充电器和电池管理系统等领域。其高电流处理能力和低导通电阻特性使其在这些高要求的应用中表现出色。

    3. 工业控制:HUFA76407P3也被广泛应用于工业控制系统中,如电机驱动器、伺服控制器和可编程逻辑控制器(PLC)等。其高可靠性和耐用性使其能够在恶劣的工业环境中长期稳定运行。

    4. 消费电子:在消费电子领域,HUFA76407P3被用于电脑主板、电源适配器和显示器电源等设备中。其紧凑的封装和高效的性能有助于提高产品的整体性能和可靠性。

    5. 可再生能源系统:在太阳能和风能等可再生能源系统中,HUFA76407P3常被用于逆变器和能量存储系统。其高效的电能转换能力能够最大限度地提高能量利用率,降低系统损耗。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):HUFA76407P3的导通电阻非常低,典型值为0.014Ω。这意味着在导通状态下的功耗较低,有助于提高整个系统的效率和减少热损耗。

    - 高击穿电压(VDSS):HUFA76407P3的击穿电压高达75V,适用于需要高电压处理能力的应用场景。这一特点使其在电源管理和电动汽车等高压系统中非常实用。

    - 快速开关速度:HUFA76407P3具有快速的开关速度,其开关时间(ton和toff)分别为20ns和80ns。快速开关速度可以显著提高电源转换效率,减少开关损耗。

    - 大电流处理能力:HUFA76407P3能够处理高达50A的连续电流,这使其在需要高电流处理能力的应用中表现突出,如电机驱动和电源适配器等。

    - 低栅极电荷(Qg):HUFA76407P3的总栅极电荷为94nC,较低的栅极电荷使得驱动功耗更低,并有助于提高开关效率。

    - 耐用的封装:HUFA76407P3采用TO-220AB封装,具有良好的热性能和机械强度,适合在恶劣环境下使用。这一封装形式也便于散热设计,有助于提高器件的可靠性和寿命。

    综上所述,HUFA76407P3作为一款高性能的功率MOSFET,凭借其低导通电阻、高击穿电压、快速开关速度、大电流处理能力和低栅极电荷等参数特点,广泛应用于电源管理、汽车电子、工业控制、消费电子和可再生能源系统等多个领域。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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