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场效应MOS管HUFA75842P3参数

PD最大耗散功率:230WID最大漏源电流:43AV(BR)DSS漏源击穿电压:150VRDS(ON)Ω内阻:0.042ΩVRDS(ON)ld通态电流:43AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~3VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    HUFA75842P3是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电力电子设备中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:在开关电源和电池管理系统中,HUFA75842P3因其高效的开关特性和低导通电阻,能够有效减少功率损耗,提高整体能效。

    2. 汽车电子:该器件常用于电动车辆的电机驱动、电池充放电管理等系统,凭借其高耐压特性和可靠性,保证了车辆运行的稳定性和安全性。

    3. 工业控制:在工业自动化设备中,如变频器、伺服驱动等,HUFA75842P3可以实现高效的电能转换和精确的控制。

    4. 消费电子:在家电、移动设备等消费类电子产品中,这款MOSFET用于直流-直流转换器、逆变器等,提升设备性能和能源效率。

    5. 通信设备:在基站、电源模块等通信设备中,HUFA75842P3因其快速开关速度和高效能,能够支持大容量数据处理和传输。

    二、参数特点:

    - 导通电阻(RDS(on)):低至0.014欧姆,这意味着在同等电流条件下,导通损耗更小,提高了系统效率。

    - 耐压特性:具备75V的漏源极耐压(VDSS),使其能够承受较高的工作电压,适用于多种高压应用场景。

    - 漏极电流(ID):最大可达80A,确保其在高电流应用中的可靠性和稳定性。

    - 栅极电荷(Qg):典型值为67nC,较低的栅极电荷使其具备快速的开关速度,有助于提高开关频率,降低开关损耗。

    - 热阻(RθJC):结到壳的热阻为0.6°C/W,出色的热性能保证了器件在高功率条件下的稳定运行。

    综上所述,HUFA75842P3凭借其低导通电阻、高耐压、高电流承载能力、快速开关速度和优异的热性能,成为了电源管理、汽车电子、工业控制、消费电子和通信设备等领域的理想选择。这款MOSFET在各类高效电力转换和控制系统中发挥着关键作用,为现代电子设备提供了高可靠性和高性能的解决方案。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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