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场效应MOS管HUFA75829D3S参数

PD最大耗散功率:110WID最大漏源电流:18AV(BR)DSS漏源击穿电压:150VRDS(ON)Ω内阻:0.11ΩVRDS(ON)ld通态电流:18AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    HUFA75829D3S是一款高性能的N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备中。以下是关于其应用场景和参数特点的详细介绍。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:HUFA75829D3S在电源管理中的应用非常广泛,特别是在直流-直流转换器(DC-DC Converter)中。它能够高效地控制电流的流动,从而提高电源转换的效率。这种高效能使其成为笔记本电脑、平板电脑等便携设备的理想选择。

    2. 电动汽车:在电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)中,HUFA75829D3S用于电池管理系统(BMS)和电动机驱动电路。它能够承受高电流和高电压,提供可靠的开关性能,从而确保车辆的稳定运行和安全性。

    3. 工业控制:HUFA75829D3S在工业自动化和控制系统中也有重要应用。它用于驱动电机、控制机械臂和其他工业设备的电路中,提供快速、可靠的开关能力,从而实现高效、精准的控制。

    4. 可再生能源系统:在太阳能和风能等可再生能源系统中,HUFA75829D3S被用于逆变器和其他电力转换设备中。它能够有效地管理从太阳能电池板或风力发电机中产生的电能,确保高效的电力传输和转换。

    5. 通信设备:HUFA75829D3S还广泛应用于通信设备中,如基站和路由器。其高效的开关速度和低导通电阻使其能够在高频率的信号传输中提供稳定的性能,确保通信设备的高效运行。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:HUFA75829D3S具有极低的导通电阻(RDS(on)),这意味着在导通状态下,它可以通过较大的电流而不会产生过多的热量。这一特点在需要高效电能传输的应用中尤为重要。

    - 高耐压能力:HUFA75829D3S能够承受高达75V的电压,使其适用于需要高电压控制的应用场景,如电动汽车和工业控制系统。这种高耐压能力确保了设备在高电压环境下的安全性和稳定性。

    - 高开关速度:该器件具有极快的开关速度,这使得它能够在高频率操作中表现出色。高开关速度对于DC-DC转换器和通信设备中的高频信号传输至关重要,确保了设备的高效和稳定。

    - 低栅极电荷:HUFA75829D3S的栅极电荷较低,这意味着在开关过程中需要的能量较少,从而减少了开关损耗。低栅极电荷使得它在电池供电的设备中表现尤为出色,延长了设备的电池寿命。

    - 封装和散热性能:HUFA75829D3S采用了优化的封装设计,增强了其散热性能。这一特点在高功率应用中尤为重要,确保了器件在高电流、高电压下仍能保持稳定的工作温度,从而提高了整体系统的可靠性和寿命。

    综上所述,HUFA75829D3S以其低导通电阻、高耐压、高开关速度、低栅极电荷和优良的散热性能,成为各类高性能电子设备中的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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