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场效应MOS管HUFA75823D3S参数

PD最大耗散功率:85WID最大漏源电流:14AV(BR)DSS漏源击穿电压:150VRDS(ON)Ω内阻:0.11ΩVRDS(ON)ld通态电流:14AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    HUFA75823D3S是一款具备高性能的功率MOSFET(场效应晶体管),广泛应用于各种电子和电气设备中。本文将详细介绍HUFA75823D3S的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:HUFA75823D3S常被用于开关电源(SMPS)和直流-直流转换器(DC-DC Converter)中。其高效能低导通电阻使其在高频开关应用中表现优越,能够有效降低能耗和热损失,提升整体电源系统的效率和可靠性。

    2. 电动工具和家电设备: 在电动工具和家电设备中,HUFA75823D3S作为电机驱动器的关键元件,提供了强劲的电流处理能力和稳定的性能,确保设备的高效运行。其耐高压特性使其在这些高功率需求的应用中表现尤为出色。

    3. 汽车电子:HUFA75823D3S在汽车电子中的应用十分广泛,尤其是在电动汽车的电池管理系统(BMS)和驱动系统中。其高可靠性和高效能表现能够满足汽车电子对稳定性和耐用性的高要求,确保车辆的安全运行。

    4. 通信设备: 在现代通信设备中,HUFA75823D3S被用于基站电源、路由器和交换机等设备中。其低导通电阻和快速开关速度使其在这些需要高效能和低延迟的应用中大放异彩。

    5. 工业自动化设备: 工业自动化设备对元器件的性能和可靠性有着严格的要求。HUFA75823D3S在工业自动化系统中的电机控制和电源管理应用中,展现了其卓越的性能和长久的使用寿命。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):HUFA75823D3S拥有极低的导通电阻,这意味着在工作状态下能够大幅降低能量损耗,提升电路的整体效率。这一特性使其非常适合高效能要求的应用场景。

    - 高击穿电压: 该型号的MOSFET具备高击穿电压特性,通常在60V以上。这使得HUFA75823D3S能够在高电压环境下稳定工作,不易发生击穿或损坏,提升了电路的可靠性和安全性。

    - 高脉冲电流能力:HUFA75823D3S能够承受高达几十安培的脉冲电流,这对于需要处理大电流的应用非常关键,如电机驱动和大功率电源系统。其优越的电流处理能力保证了设备的稳定运行。

    - 快速开关速度:HUFA75823D3S的开关速度非常快,这对于高频开关电源和高速电路控制非常重要。快速的开关速度不仅提高了电路的响应时间,还减少了开关损耗,进一步提升了效率。

    - 热性能优越:HUFA75823D3S具有出色的热性能,能够在高温环境下稳定工作,并且其散热能力强,能够有效减少热积累,延长元器件的使用寿命。这使其在高功率和高温度应用中依然能够保持优异的性能表现。

    综上所述,HUFA75823D3S凭借其低导通电阻、高击穿电压、高脉冲电流能力、快速开关速度以及优越的热性能,成为众多高效能和高可靠性应用中的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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