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场效应MOS管HUFA75343P3参数

PD最大耗散功率:270WID最大漏源电流:75AV(BR)DSS漏源击穿电压:55VRDS(ON)Ω内阻:0.009ΩVRDS(ON)ld通态电流:75AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~3VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    HUFA75343P3是一种高效能的N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种需要高效率和高开关速度的电子设备中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:HUFA75343P3在开关电源中充当主要开关元件,能够实现高频率的开关操作,提高电源转换效率,减少功耗,适用于各种AC/DC和DC/DC转换器。

    2. 电机驱动:在电机控制电路中,HUFA75343P3可以用于驱动电机,特别是在需要精确控制的伺服电机和步进电机中,因其低导通电阻和快速开关能力,可以有效提升系统的响应速度和效率。

    3. 太阳能逆变器:在太阳能发电系统中,HUFA75343P3被用作逆变器的开关元件,通过高效的电能转换,减少能量损失,提升整体系统的发电效率。

    4. UPS系统:不间断电源系统(UPS)需要快速响应和高效率的开关元件来保证电力的连续供应,HUFA75343P3在其中发挥了重要作用,确保系统在电力中断时能快速切换到备用电源。

    5. 电池管理系统:在电动汽车和储能系统中,HUFA75343P3用于电池的充放电控制,其高效率和可靠性可以延长电池寿命,优化电池性能。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):HUFA75343P3的典型导通电阻仅为75毫欧姆,这使得其在导通状态下具有较低的功耗,能够高效传输大电流,减少系统的热损耗。

    - 高击穿电压(VDS):HUFA75343P3的击穿电压高达55V,确保其在高压应用中具有良好的耐压性能,不易被击穿,适用于需要高耐压元件的电路设计。

    - 大电流处理能力:HUFA75343P3能够处理高达75A的连续电流,使其在大功率应用中具有出色的电流处理能力,满足各种大电流负载的需求。

    - 快速开关速度:HUFA75343P3具有快速的开关速度,典型的开关时间在几十纳秒量级。这使得其在高频应用中能有效减少开关损耗,提高整体效率。

    - 低栅极电荷(Qg):HUFA75343P3的栅极电荷低,这意味着其在开关过程中所需的能量较少,能够快速响应控制信号,减少驱动损耗,提高系统效率。

    综上所述,HUFA75343P3凭借其低导通电阻、高击穿电压、大电流处理能力、快速开关速度和低栅极电荷等优越参数特点,广泛应用于开关电源、电机驱动、太阳能逆变器、UPS系统和电池管理系统等领域,成为高效能电子设备中的重要元件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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