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场效应MOS管HUFA75321P3参数

PD最大耗散功率:93WID最大漏源电流:35AV(BR)DSS漏源击穿电压:55VRDS(ON)Ω内阻:0.034ΩVRDS(ON)ld通态电流:45AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~3VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    HUFA75321P3是一种高性能的N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:在开关电源中,HUFA75321P3可以用于主开关管和二级整流器。它的低导通电阻和快速开关特性,使其在高效能和低热损耗方面表现出色。

    2. 电机驱动:电机驱动系统需要高效和稳定的功率器件来驱动各种类型的电机。HUFA75321P3的高电流承载能力和高可靠性,使其非常适合用于直流电机和步进电机驱动。

    3. 电池管理系统:在电池管理系统中,HUFA75321P3可用于电池保护和电流调节。其高压特性和低漏电流特性有助于提高系统的安全性和效率。

    4. 太阳能逆变器:太阳能逆变器需要高效的功率转换器件,以提高能量转换效率。HUFA75321P3的高效率和低损耗特性,使其成为太阳能逆变器中的理想选择。

    5. 音频放大器:在高保真音频放大器中,HUFA75321P3的低噪声和高线性度特性,有助于提供更清晰和更高质量的音频输出。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:HUFA75321P3的导通电阻非常低,这有助于减少功率损耗,提高效率。例如,其典型导通电阻仅为几毫欧,适合高效能应用。

    - 高电流承载能力:该器件能够承载高达数十安培的电流,这使其非常适合用于需要处理大电流的应用场合。

    - 高击穿电压:HUFA75321P3的击穿电压通常在500V以上,能够在高电压环境下可靠运行,适用于电源转换和电池管理等高压应用。

    - 快速开关速度:其开关速度非常快,能够在纳秒级别内完成开关操作。这对于需要快速响应的应用,如开关电源和电机驱动,非常重要。

    - 低栅极电荷:HUFA75321P3具有低栅极电荷特性,这意味着它在开关过程中消耗的能量较少,有助于进一步提高系统的效率。

    综上所述,HUFA75321P3是一款高性能的N沟道功率MOSFET,适用于多种环境,从开关电源到音频放大器。其卓越的电气特性和可靠性使其成为各种电子设备中的关键元件,确保设备安全稳定地运行。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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