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场效应MOS管HUFA75309D3S参数

PD最大耗散功率:55WID最大漏源电流:19AV(BR)DSS漏源击穿电压:55VRDS(ON)Ω内阻:0.07ΩVRDS(ON)ld通态电流:19AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    HUFA75309D3S是一款高性能的N沟道MOSFET,广泛应用于多种电子设备和电源管理系统。下面将详细介绍HUFA75309D3S的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:HUFA75309D3S常用于DC-DC转换器和AC-DC转换器中的开关元件,因其低导通电阻和高开关速度,能够有效提升转换效率和降低能量损耗。

    2. 电动工具:在电动工具中,HUFA75309D3S可以用作电机驱动器,提供高效能量传递,确保工具具有强大的动力输出和长时间的续航能力。

    3. 汽车电子:在汽车电子系统中,HUFA75309D3S广泛应用于发动机控制单元(ECU)、车灯控制和电池管理系统中,具有高可靠性和耐用性。

    4. 消费电子:在智能手机、平板电脑等消费电子产品中,HUFA75309D3S被用于电池保护电路和电源分配系统,保证设备的安全性和稳定性。

    5. 工业控制:在工业自动化设备中,HUFA75309D3S用作驱动器件,能在恶劣环境下提供稳定的性能和长寿命。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):HUFA75309D3S具有极低的导通电阻,这意味着在同样的电流通过时,产生的电压降更小,从而减少了能量损耗,提高了整体效率。

    - 高开关速度:由于HUFA75309D3S采用了先进的半导体工艺,其开关速度非常快,能够满足高频率应用需求,减少了开关损耗,提升了系统的响应速度。

    - 高耐压能力:HUFA75309D3S的耐压值较高,能够承受较大的电压应力,适用于高压应用环境,确保设备的可靠性和安全性。

    - 低栅极电荷(Qg):低栅极电荷使得HUFA75309D3S在开关过程中所需的能量更少,从而降低了驱动电路的功耗,提高了系统的整体效率。

    - 强大的热性能:HUFA75309D3S具备出色的热性能,能够在高温环境下稳定工作,并且具有良好的散热能力,确保器件在长时间高负荷运行时依然可靠。

    综上所述,HUFA75309D3S凭借其低导通电阻、高开关速度、高耐压能力、低栅极电荷和优越的热性能,在电源管理系统、电动工具、汽车电子、消费电子和工业控制等多个领域中都发挥着至关重要的作用,成为各类高性能电子设备中不可或缺的关键元件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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