收藏壹芯微 | 在线留言| 网站地图

您好!欢迎光临壹芯微科技品牌官网

壹芯微

深圳市壹芯微科技有限公司二极管·三极管·MOS管·桥堆

全国服务热线:13534146615

壹芯微二极管
首页 » 壹芯微产品中心 » 三极管 » 场效应管 » 场效应MOS管HUF76639S3ST参数

场效应MOS管HUF76639S3ST参数

PD最大耗散功率:180WID最大漏源电流:50AV(BR)DSS漏源击穿电压:100VRDS(ON)Ω内阻:0.026ΩVRDS(ON)ld通态电流:51AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~3VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

立即咨询


    HUF76639S3ST是一种常用于电力电子和电机控制领域的功率MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金属氧化物半导体场效应晶体管)。由于其卓越的性能和高效能,HUF76639S3ST在多个应用场景中得到广泛应用。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:HUF76639S3ST被用作开关器件,适用于DC-DC转换器、开关电源和逆变器等设备,能够有效提高系统效率和稳定性。

    2. 电机控制:在电动汽车、工业自动化和机器人等领域,HUF76639S3ST被广泛用于电机控制器中,其高电流处理能力和可靠性确保电机平稳运行。

    3. 太阳能和风能系统:HUF76639S3ST在可再生能源系统中发挥重要作用,被用于太阳能逆变器和风力发电系统的功率转换部分,提高能量转换效率,降低系统损耗。

    4. 音频放大器:在高保真音频放大器中,HUF76639S3ST被用作输出级元件,其低失真和高效率特性显著提升音质和性能。

    5. 电池管理系统:在各种电池管理系统中,HUF76639S3ST用于电池充放电控制,其高效能和低功耗特性延长电池寿命,优化系统性能。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):HUF76639S3ST的导通电阻非常低,典型值在0.014Ω左右,导通状态下的功率损耗较小,有效提高系统效率。

    - 高击穿电压(VDS):该型号的击穿电压为75V,意味着HUF76639S3ST能够在高电压环境下稳定工作,适用于需要高电压操作的应用场景。

    - 高电流处理能力:HUF76639S3ST具有高达80A的连续漏极电流(ID)处理能力,能够在高负载条件下稳定运行,适合大功率应用。

    - 快速开关速度:该型号的开关速度非常快,能够实现高频率的开关操作,提高开关电源和逆变器的效率。

    - 封装类型:HUF76639S3ST采用TO-220AB封装,这种封装类型具有良好的散热性能和机械强度,适合各种工业和消费电子设备的应用。

    综上所述,HUF76639S3ST凭借其优异的性能参数和广泛的应用场景,成为电力电子和电机控制领域中不可或缺的重要元件。其低导通电阻、高电流处理能力以及快速开关速度等特点,使其在提高系统效率和可靠性方面发挥重要作用。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

    扫一扫!

    深圳市壹芯微科技有限公司 版权所有 | 备案号:粤ICP备2020121154号