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场效应MOS管HUF76633S3参数

PD最大耗散功率:145WID最大漏源电流:38AV(BR)DSS漏源击穿电压:100VRDS(ON)Ω内阻:0.035ΩVRDS(ON)ld通态电流:39AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~3VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    HUF76633S3是一种N沟道功率MOSFET,广泛应用于各类电子设备和电力系统中。由于其优越的电气性能和耐用性,以下是一些典型的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:HUF76633S3常用于各种电源管理系统中,如开关电源、DC-DC转换器和不间断电源(UPS)中。它的高效开关性能能够有效降低能耗,提高系统整体效率。

    2. 电动汽车:在电动汽车的电池管理系统和电机控制器中,HUF76633S3起着至关重要的作用。它的高电流处理能力和低导通电阻使其能够承受电动汽车中的高电压和高电流,确保车辆的安全和性能。

    3. 太阳能逆变器:HUF76633S3在太阳能发电系统中的逆变器中发挥关键作用。其高效率和可靠性有助于将太阳能板产生的直流电转换为交流电,从而使太阳能发电系统更加稳定和高效。

    4. 工业自动化:在工业自动化设备中,如可编程逻辑控制器(PLC)和机器人系统,HUF76633S3用于驱动各种电机和执行器。其快速开关特性和高耐压性确保了设备的稳定运行和精确控制。

    5. 消费电子产品:HUF76633S3还广泛应用于各种消费电子产品中,如智能手机、笔记本电脑和游戏机的电源模块中。它的高效能和小体积使其成为这些设备理想的电源解决方案。

    二、参数特点:

    - 导通电阻(R_DS(on)):HUF76633S3的导通电阻非常低,仅为0.012Ω,这意味着在高电流通过时,它能够最大限度地减少功率损耗,从而提高系统的效率。

    - 最大漏源电压(V_DS):该型号的最大漏源电压为75V,使其能够在较高电压环境下安全运行,适用于电源管理和电动汽车等高电压应用。

    - 最大漏源电流(I_D):HUF76633S3的最大漏源电流高达65A,这使其能够处理大电流负载,适用于需要高功率传输的应用场景,如电动汽车和工业自动化设备。

    - 栅极电荷(Q_g):该MOSFET的栅极电荷为65nC,表明其能够快速响应控制信号,实现高速开关操作。这对于需要高频开关的应用,如DC-DC转换器和逆变器非常重要。

    - 封装形式:HUF76633S3采用TO-247封装,这种封装形式具有良好的散热性能和机械强度,能够在苛刻的环境条件下稳定运行,适合工业和汽车电子等需要高可靠性的应用。

    综上所述,HUF76633S3凭借其优越的电气性能和可靠性,成为各类电源管理、工业自动化、消费电子和电动汽车等应用的理想选择。其低导通电阻、高电压处理能力和高电流承受能力,使其在实际应用中表现出色,确保了系统的高效能和稳定性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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