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场效应MOS管HUF76629D3S参数

PD最大耗散功率:110WID最大漏源电流:20AV(BR)DSS漏源击穿电压:100VRDS(ON)Ω内阻:0.052ΩVRDS(ON)ld通态电流:20AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~3VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    HUF76629D3S是一款非常重要的功率MOSFET,广泛应用于各类电子设备和电路设计中。以下将分别介绍HUF76629D3S的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:HUF76629D3S常用于电源管理系统中,特别是在开关电源和DC-DC转换器中。由于其低导通电阻和高电流处理能力,它可以有效地提高系统效率,减少能量损失,确保电源系统的稳定和高效运行。

    2. 电机控制:在电机控制应用中,HUF76629D3S可以用于控制电机的启停和速度调节。其高开关速度和低功耗特性使其成为高效电机控制解决方案的理想选择。

    3. 汽车电子:HUF76629D3S在汽车电子中也有广泛应用,例如在电动汽车的电池管理系统(BMS)、电动动力传动系统等领域。其耐高温和高电流处理能力,使其在恶劣的汽车环境中仍能稳定工作。

    4. 工业自动化:在工业自动化设备中,HUF76629D3S被广泛应用于各种驱动和控制电路中,帮助实现高效、可靠的自动化控制。这包括工业机器人、PLC控制系统等。

    5. 消费电子:HUF76629D3S还广泛应用于消费电子产品中,如笔记本电脑、智能手机、平板电脑等。这些设备要求高效能、低功耗的功率管理组件,而HUF76629D3S正好能满足这些需求。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:HUF76629D3S具有非常低的导通电阻(RDS(on)),典型值为7.5mΩ,这有助于减少导通损耗,提高整体电路的效率。

    - 高电流处理能力:HUF76629D3S的连续漏极电流(ID)最高可达62A,这使其能够处理高电流应用,适用于大功率设备和系统。

    - 耐高压特性:HUF76629D3S的击穿电压(V(BR)DSS)为60V,适合在较高电压环境下工作,确保设备在高压情况下仍能稳定运行。

    - 快速开关速度:HUF76629D3S的开关速度非常快,具有较低的栅极电荷(Qg),典型值为56nC,这有助于实现高频开关操作,降低开关损耗。

    - 高结温能力:HUF76629D3S能够在最高175°C的结温下工作,确保其在高温环境中仍能可靠工作,延长设备的使用寿命。

    综上所述,HUF76629D3S凭借其优异的电气性能和广泛的应用场景,成为现代电子设计中不可或缺的核心组件。其低导通电阻、高电流处理能力、耐高压特性、快速开关速度和高结温能力,使其在各种复杂和高要求的环境中都能表现出色。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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