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场效应MOS管HUF76619D3S参数

PD最大耗散功率:75WID最大漏源电流:18AV(BR)DSS漏源击穿电压:100VRDS(ON)Ω内阻:0.085ΩVRDS(ON)ld通态电流:18AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~3VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    HUF76619D3S是一种常见的功率MOSFET(场效应晶体管),在许多电力电子应用中都有广泛的应用。本文将详细介绍HUF76619D3S的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:在电源管理系统中,HUF76619D3S常用于开关电源、DC-DC转换器以及电压调节器等设备。这种MOSFET能够高效地转换电能,减少能量损耗,提高系统的整体效率。

    2. 电机控制:在电机驱动电路中,HUF76619D3S用于控制电机的开关状态,调节电机的转速和方向。由于其低导通电阻和快速开关速度,能够有效地减少电机运行中的能量损耗。

    3. 电池管理系统(BMS):在锂离子电池和其他类型电池的管理系统中,HUF76619D3S通过调节充放电过程,保护电池,延长其使用寿命。其高效的功率处理能力使其成为BMS中理想的开关器件。

    4. 太阳能逆变器:在太阳能系统中,HUF76619D3S用于逆变器,将直流电转换为交流电,供家庭或工业使用。其高效的开关特性能够最大化太阳能电池板的能量输出。

    5. 汽车电子:在现代汽车中,HUF76619D3S应用于电控单元(ECU)、电动助力转向系统(EPS)和其他电子控制系统中。这些系统需要高效的功率管理,而HUF76619D3S的优异性能能够满足这些需求。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):HUF76619D3S的导通电阻非常低,典型值为0.014欧姆,这意味着在导通状态下,该器件能够有效地减少能量损耗,提高系统效率。

    - 高电流处理能力:HUF76619D3S能够处理高达60安培的连续电流,这使得它非常适合高功率应用,例如电机驱动和电源管理系统。

    - 高击穿电压:HUF76619D3S的击穿电压为75伏,这意味着它能够在较高电压下稳定工作,适合需要高电压操作的应用场景。

    - 快速开关速度:HUF76619D3S具有快速的开关速度,其开关时间非常短,能够在高频操作中表现优异。这对于需要快速响应的应用,如DC-DC转换器和电机控制,尤为重要。

    - 封装类型:HUF76619D3S采用TO-220封装,这种封装形式具有良好的散热性能,能够有效地管理器件在高功率操作时产生的热量,确保其可靠性和稳定性。

    综上所述,HUF76619D3S作为一种高性能的功率MOSFET,具有低导通电阻、高电流处理能力、高击穿电压、快速开关速度以及优良的散热性能,适用于各种电力电子应用领域。通过了解HUF76619D3S的应用场景和参数特点,可以更好地发挥其在电力管理和控制系统中的作用,提高整体系统的效率和可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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