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场效应MOS管HUF76423S3S参数

PD最大耗散功率:85WID最大漏源电流:20AV(BR)DSS漏源击穿电压:60VRDS(ON)Ω内阻:0.032ΩVRDS(ON)ld通态电流:20AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~3VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    HUF76423S3S是一款针对汽车电子控制系统设计的功率MOSFET。它具有较低的导通电阻和快速的开关特性,适用于需要高效能和高可靠性的应用场景。

    一、应用场景:

    1. 汽车电子控制单元(ECU):HUF76423S3S常见于驱动电动助力转向系统,确保系统的精确和可靠性。

    2. 电动车辆动力电池管理:作为功率MOSFETHUF76423S3S能够有效管理电池与电动马达之间的功率传输,提升电动车辆的能效和行驶里程。

    3. 汽车照明系统:HUF76423S3S在LED照明控制中发挥作用,通过高效的电能转换确保系统稳定性。

    4. 其他汽车电子系统:HUF76423S3S广泛用于各类汽车电子系统,提升整体性能和可靠性。

    二、参数特点:

    1. 低导通电阻:HUF76423S3S在典型工作条件下保持低导通损耗,降低系统能耗和热量。

    2. 高频开关特性:快速响应的开关特性有效减少能量损耗,提升系统响应速度。

    3. 热管理和稳定性:设计考虑高温和高电流环境下的稳定工作,增强系统可靠性。

    4. 集成保护特性:包括过流保护和过温保护,延长设备使用寿命。

    5. 耐压和耐电压浪涌能力:适应汽车电子系统中的各种电气干扰和环境挑战。

    综上所述,HUF76423S3S作为专为汽车电子控制系统设计的功率MOSFET,不仅在性能和可靠性上有显著优势,而且适用于多个关键领域,为现代汽车技术的进步提供重要支持。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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