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场效应MOS管HUF76419D3ST参数

PD最大耗散功率:75WID最大漏源电流:20AV(BR)DSS漏源击穿电压:60VRDS(ON)Ω内阻:0.037ΩVRDS(ON)ld通态电流:20AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~3VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    HUF76419D3ST是一种N沟道功率MOSFET,其广泛应用于各种电子设备中。以下将从应用场景和参数特点两方面详细介绍HUF76419D3ST

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:在电源管理系统中,HUF76419D3ST被用于开关电源和DC-DC转换器中,主要起到功率转换和调节的作用。其高效能和低损耗特点使其成为提高系统整体效率的关键元件。

    2. 汽车电子:现代汽车对电子元件的需求不断增加,HUF76419D3ST在汽车电子领域也有广泛应用,例如电动汽车的电机控制、电池管理系统等。其高耐压和高电流能力能够满足汽车电子系统的严苛要求。

    3. 消费电子产品:在笔记本电脑、平板电脑、智能手机等消费电子产品中,HUF76419D3ST被广泛用于电池管理、电源模块等部分,确保设备的稳定运行并延长电池寿命。

    4. 工业控制系统:工业控制系统需要可靠性高、寿命长的元件,HUF76419D3ST的稳健性能和高效转换能力使其成为工业设备中的理想选择,应用于电机驱动、PLC系统等。

    5. 通信设备:在基站、路由器等通信设备中,HUF76419D3ST作为功率开关和信号调节器,确保了设备的高性能和稳定运行。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:HUF76419D3ST具有非常低的导通电阻(RDS(on)),在额定条件下,其典型值为0.0055Ω。低导通电阻意味着在电流通过时损耗更小,效率更高,非常适合高效能要求的应用。

    - 高电流能力:HUF76419D3ST的连续漏极电流能力高达55A,这使其能够处理大电流的应用场景,特别适用于需要高功率输出的设备。

    - 高耐压能力:其漏源电压(VDS)额定值为40V,使 HUF76419D3ST能够在较高电压环境下工作,满足许多高压应用的需求。

    - 快速开关性能:HUF76419D3ST拥有快速开关能力,其典型开关时间非常短,这在高频率开关应用中尤为重要。快速开关能够减少开关损耗,提升整体效率。

    - 热管理性能:HUF76419D3ST采用先进的封装技术,具有良好的热管理性能。在高功率、高电流的工作环境下,能够有效散热,确保元件的可靠性和寿命。

    综上所述,HUF76419D3ST以其优异的电气性能和广泛的应用场景,成为现代电子设备中不可或缺的关键元件。无论是在电源管理、汽车电子还是工业控制中,HUF76419D3ST都展示了其卓越的性能和可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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