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场效应MOS管HUF76413D3S参数

PD最大耗散功率:60WID最大漏源电流:20AV(BR)DSS漏源击穿电压:60VRDS(ON)Ω内阻:0.049ΩVRDS(ON)ld通态电流:20AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~3VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    HUF76413D3S是一种常见的功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备和电源管理系统中。其应用场景和参数特点如下:

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:HUF76413D3S常用于开关电源(SMPS)和DC-DC转换器中。它能够高效地转换电能,降低功耗,提高电源系统的整体效率。

    2. 电机控制:在电机驱动应用中,HUF76413D3S因其快速开关速度和高效能量传输特性,被广泛用于电机控制电路中,确保电机运行的平稳和高效。

    3. 逆变器:在光伏逆变器和风能逆变器等可再生能源系统中,HUF76413D3S被用来实现直流电向交流电的高效转换,支持能源的有效利用。

    4. 负载开关:由于其低导通电阻和高电流承载能力,HUF76413D3S适用于各种负载开关应用,如电池保护电路和LED驱动电路等。

    5. 计算机和通信设备:在计算机主板、服务器和通信设备中,HUF76413D3S用于电源调节和稳压电路,确保设备的稳定运行。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):HUF76413D3S具有极低的导通电阻,这意味着在工作时能量损耗低,效率高。这对于需要高效率和低功耗的应用场景尤为重要。

    - 高电流处理能力:HUF76413D3S能够处理较高的电流,使其适用于需要高电流传输的应用,如电源管理和电机控制。

    - 快速开关速度:HUF76413D3S具有极快的开关速度,能够在短时间内完成电路的开关操作,这对高频开关电源和高速电路非常有利。

    - 高击穿电压:HUF76413D3S的高击穿电压使其在高压应用中能够稳定工作,防止因电压突升而损坏器件,提高系统的可靠性。

    - 热性能良好:HUF76413D3S具有良好的热性能,能够在高温环境下稳定工作,同时散热效果好,适用于功率密度高的应用场景。

    通过对HUF76413D3S的应用场景和参数特点的详细分析,可以看出其在现代电子设备和电源系统中具有重要作用。其低导通电阻、高电流处理能力、快速开关速度和良好的热性能,使其成为许多高效能应用中的首选。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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