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场效应MOS管HUF76407D3S参数

PD最大耗散功率:38WID最大漏源电流:11AV(BR)DSS漏源击穿电压:60VRDS(ON)Ω内阻:0.092ΩVRDS(ON)ld通态电流:13AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~3VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    HUF76407D3S是一种N沟道功率MOSFET,广泛应用于电源管理和电机控制等多个领域。这款器件在高效能和可靠性方面表现出色,适用于各种需要高开关速度和低导通电阻的应用。以下是HUF76407D3S的一些具体应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:在开关电源(SMPS)中,HUF76407D3S能够提供快速的开关速度和低损耗,使得电源转换效率大大提高。同时,其耐高压特性使其在高电压环境中仍能稳定工作。

    2. 电机驱动:在直流电机和无刷电机驱动中,HUF76407D3S的低导通电阻和高电流处理能力能够确保电机在高效和低发热的状态下运行,从而延长电机的使用寿命。

    3. 光伏逆变器:在光伏逆变器中,HUF76407D3S的高效率开关能力和高可靠性使其能够在转换过程中减少能量损耗,提高整体系统的发电效率。

    4. 汽车电子:在汽车电子系统中,HUF76407D3S可以用于电动汽车的电池管理系统和动力控制系统。其耐高温和高可靠性特性使其在恶劣的汽车环境中表现优异。

    5. 工业自动化:在工业自动化设备中,HUF76407D3S能够在高频开关情况下提供稳定的性能,确保工业控制系统的精确和高效运行。

    二、参数特点:

    - 导通电阻(RDS(on)):HUF76407D3S的导通电阻极低,典型值为0.022欧姆,这意味着在导通状态下,它能够提供非常低的电压降和功耗,从而提高系统效率。

    - 漏源电压(VDS):HUF76407D3S的最大漏源电压为75V,使其适用于中高压应用场景,提供足够的电压裕度,确保设备在不同电压条件下的可靠性。

    - 栅极电压(VGS):HUF76407D3S允许的最大栅极电压为±20V,这使得它能够在多种驱动电压条件下工作,适应不同的驱动电路设计需求。

    - 最大连续漏极电流(ID):在25°C环境温度下,HUF76407D3S的最大连续漏极电流为35A,说明其能够处理较大的电流负载,适用于高功率应用。

    - 开关特性:HUF76407D3S具有极快的开关速度,其典型开关时间(包括上升时间和下降时间)非常短,这使得它在高频开关应用中能够有效降低开关损耗,提高系统的开关效率。

    HUF76407D3S以其优异的性能和广泛的应用场景,成为许多电力电子和控制系统设计中的首选器件。无论是在工业、汽车还是消费电子领域,HUF76407D3S都展现出了其不可或缺的价值。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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