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场效应MOS管HUF76139S3S参数

PD最大耗散功率:165WID最大漏源电流:75AV(BR)DSS漏源击穿电压:30VRDS(ON)Ω内阻:0.0075ΩVRDS(ON)ld通态电流:75AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~3VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    HUF76139S3S是一种功率MOSFET,广泛应用于多种电子设备和电力系统中。本文将详细介绍HUF76139S3S的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:在开关电源中,HUF76139S3S用作主要开关器件,因其高效率和低损耗特性,可以显著提高电源的整体性能。

    2. 电动工具:许多电动工具需要高效的功率转换器件,HUF76139S3S凭借其卓越的导通电阻和开关速度,成为这些工具中理想的功率开关器件。

    3. 汽车电子:在汽车电子系统中,HUF76139S3S广泛用于电池管理系统(BMS)和电动汽车驱动系统,其高可靠性和高效率特性能够满足汽车行业的严格要求。

    4. 工业控制:工业自动化设备需要高性能和高可靠性的功率元件,HUF76139S3S在变频器、伺服系统等设备中表现出色。

    5. 消费电子:包括电视、电脑等消费电子产品中,HUF76139S3S因其出色的散热性能和高效能而被广泛应用。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(Rds(on)):HUF76139S3S的导通电阻极低,为23毫欧(mΩ),这意味着它在工作时产生的热量较少,效率更高。

    - 高耐压:该器件具有150V的漏源耐压(Vdss),能够承受较高的电压,适用于高压应用场景。

    - 高电流能力:HUF76139S3S的连续漏极电流(Id)为40A,脉冲电流可达160A,这使其能够处理高功率负载。

    - 快速开关速度:其快速的开关时间有助于提高系统的工作效率,减少能量损失,特别适合高频应用。

    - 优良的热性能:HUF76139S3S具有低热阻(RθJC),保证在高功率应用中具有优越的散热能力,延长器件寿命。

    综上所述,HUF76139S3S凭借其卓越的电气特性和广泛的应用场景,成为各类电子设备中不可或缺的核心器件。在设计和选型时,充分考虑这些特点,可以最大限度地发挥HUF76139S3S的优势,提高系统的可靠性和效率。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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